[发明专利]雪崩光电二极管最佳工作电压的测试方法有效
申请号: | 201310169483.3 | 申请日: | 2013-05-09 |
公开(公告)号: | CN104142460B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 郭继伟;钟程;许建锐;王彦伟;罗建刚;李耀威 | 申请(专利权)人: | 深圳市共进电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518067 广东省深圳市南山区南海大道1019号医疗器械产业园B116*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 雪崩 光电二极管 最佳 工作 电压 测试 方法 | ||
本发明公开了一种雪崩光电二极管最佳工作电压的测试方法,包括下列步骤:微控制单元输出直流控制信号,给雪崩光电二极管施加一与直流控制信号对应的偏压;定时器延时第一预设时长;在延时结束后的第一个定时器中断中,采集流经雪崩光电二极管的暗电流;微控制单元判断暗电流的大小是否达到反向击穿电流,若是,则根据偏压的值计算出雪崩光电二极管的最佳工作电压;否则更新直流控制信号,并返回微控制单元输出直流控制信号、给雪崩光电二极管施加一与所述直流控制信号对应的偏压的步骤。本发明通过时间片轮调的方式,在定时器延时的过程中,微控制单元的主工作循环可以执行其他的工作任务以及相应其他的中断工作,提高了生产测试效率。
技术领域
本发明涉及电变量的测试,特别是涉及一种雪崩光电二极管最佳工作电压的测试方法。
背景技术
在光通信日益发展的今天,对雪崩光电二极管(APD管)光器件的需求也呈现快速的增长。因此,提高APD管的生产测试效率、准确快速的找到其最佳工作电压、降低其生产测试时间,也就成为提高产能、降低成本的关键因素。
APD管光器件生产的关键环节包括找到APD管的最佳工作电压。APD管需要在30~60V的反向电压下才能工作,在最佳工作电压情况下,会产生雪崩效应,使光电转换效率倍增,从而可以提高光器件的接收灵敏度。每一个APD管的最佳工作电压都是不相同的,这就需要测试每一个APD管的最佳电压。APD管的最佳工作电压与其反向击穿电压的比例关系是[(0.85~0.95):1];APD管的反向击穿电压是流过APD管的暗电流为10μA时对应的电压值。利用微控制单元DAC输出的直流控制信号,对比APD管最佳工作电压与击穿电压之间的关系,通过微控制单元快速的采集、比对和调整,最终输出APD管的最佳工作电压。
一种传统的APD管调节采用“线性斜率计算法”。微控制单元输出初始DA值调节APD管的偏压,等待硬件电路的输出稳定后采集流过APD管的暗电流,计算出偏压变化“近似等效直线”的斜率,并根据该斜率动态计算出下一次的DA值调整量;循环以上过程,直至使流经APD管的暗电流为10μA。但这种调节方法在调节过程中微控制单元不停的循环执行调节动作,不能实时的响应其他任务。
发明内容
基于此,有必要提供一种微控制单元在测试过程中能够同时执行其它任务的雪崩光电二极管最佳工作电压的测试方法。
一种雪崩光电二极管最佳工作电压的测试方法,包括下列步骤:微控制单元输出直流控制信号,给雪崩光电二极管施加一与所述直流控制信号对应的偏压;定时器延时第一预设时长;在延时结束后的第一个定时器中断中,采集流经所述雪崩光电二极管的暗电流;微控制单元判断所述暗电流的大小是否达到反向击穿电流,若是,则根据所述偏压的值计算出所述雪崩光电二极管的最佳工作电压;否则更新所述直流控制信号,并返回所述微控制单元输出直流控制信号、给雪崩光电二极管施加一与所述直流控制信号对应的偏压的步骤,更新后的所述直流控制信号对应的偏压较更新前更大。
在其中一个实施例中,所述更新直流控制信号的步骤,包括判断当前采集到的所述暗电流是否大于电流阈值,若是,则将所述直流控制信号增加第一预设值,否则将所述直流控制信号增加第二预设值,所述第一预设值小于所述第二预设值。
在其中一个实施例中,所述电流阈值是6微安。
在其中一个实施例中,所述第一预设值是0.02~0.1伏特,所述第二预设值是0.3~0.9伏特。
在其中一个实施例中,所述反向击穿电流是10微安。
上述雪崩光电二极管最佳工作电压的测试方法,通过时间片轮调的方式,采用定时器中断实现时间片的分割,在定时器延时的过程中,微控制单元的主工作循环可以执行其他的工作任务以及相应其他的中断工作,提高了生产测试效率。
附图说明
图1是一实施例中雪崩光电二极管最佳工作电压的测试方法的流程图。
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