[发明专利]一种多孔GaN的制备方法

权利要求书

1.一种多孔GaN材料的制备方法，包括以下步骤：

S1、将K₂S₂O₈溶解于去离子水或纯净水中，配制浓度为0.0001mol/L-2mol/L的K₂S₂O₈溶液；

S2、在所述K₂S₂O₈溶液中加入NaOH或KOH，配制pH值大于7的混合溶液；

S3、将GaN材料置于所述混合溶液中，用紫外光源照射所述GaN材料，获得多孔GaN材料。

2.根据权利要求1所述的多孔GaN材料的制备方法，其特征在于，所述混合溶液的pH值为9-11。

3.根据权利要求2所述的多孔GaN材料的制备方法，其特征在于，步骤S3为：将GaN材料置于所述混合溶液中，用强度为0.01-0.03w/cm²的紫外光源照射所述GaN材料200-300秒，获得尺寸为5-10nm的多孔GaN材料。

4.根据权利要求2所述的多孔GaN材料的制备方法，其特征在于，步骤S3为：将GaN材料置于所述混合溶液中，用强度为0.01-0.03w/cm²的紫外光源照射所述GaN材料800-900秒，获得尺寸为10-30nm的多孔GaN材料。

5.根据权利要求2所述的多孔GaN材料的制备方法，其特征在于，步骤S3为：将GaN材料置于所述混合溶液中，用强度为0.1-0.3w/cm²的紫外光源照射所述GaN材料20-30秒，获得尺寸为40-100nm的多孔GaN材料。

6.根据权利要求2所述的多孔GaN材料的制备方法，其特征在于，步骤S3为：将GaN材料置于所述混合溶液中，用强度为0.1-0.3w/cm²的紫外光源照射所述GaN材料40-60秒，获得尺寸为80-200nm的多孔GaN材料。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的多孔GaN材料的制备方法，其特征在于，所述紫外光源的光子能量大于3.4eV的光源。

8.根据权利要求7所述的多孔GaN材料的制备方法，其特征在于，所述紫外光源由氙灯、太阳光、紫外激光器提供。