[发明专利]一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法及其产品

权利要求书

1.一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤： 

（a）在基片的一个表面上加工制得盲孔，并使得盲孔的深度不小于其直径； 

（b）在加工制得盲孔的整个基片表面上依次生长绝缘层、阻挡层和种子层； 

（c）向所述种子层的表面上涂布光刻胶并填平盲孔，然后对光刻胶执行曝光及显影处理，以使光刻胶仅在处于盲孔底部的种子层表面上残留； 

（d）对基片上未被光刻胶覆盖的种子层执行去除处理，在此过程中，盲孔底部的种子层由于受残留光刻胶的保护而不受影响； 

（e）去除盲孔底部残留的光刻胶，露出其底部的种子层； 

（f）向盲孔中填充导电材料，在此过程中，以盲孔底部的种子层作为引导介质，利用导电材料在盲孔内种子层与阻挡层之间的生长差异性完成自底向上的生长； 

（g）对基片未加工盲孔的另一表面执行减薄处理，直至盲孔被形成为通孔，由此完成通孔互联过程并获得所需的通孔互联结构产品。 

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（a）中，通过深反应离子刻蚀、激光烧蚀或湿法腐蚀来加工制得盲孔；所述盲孔的数量为1个或多个，其中盲孔孔径在1微米～1000微米之间，深度在10微米～1000微米之间，并且盲孔的深度为其直径的1～50倍。 

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤（b）中，所述绝缘层的材料选自二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚苯并环丁烯或光刻胶以及上述材料的混合物或复合体，并优选采用热氧化、物理气相淀积或化学气相淀积的方式形成；所述阻挡层为钛阻 挡层、钛-钨双层阻挡层、钛-氮化钛双层阻挡层或钽-氮化钽双层阻挡层，并优选采用原子层淀积、物理气相淀积或化学气相淀积的方式形成；所述种子层为铜或金等材料构成，并优选采用化学镀、电化学嫁接、原子层淀积、物理气相淀积或化学气相淀积的方式形成。 

4.如权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，在步骤（c）中，当向基片淀积有种子层的表面涂布光刻胶并填平盲孔之后，将其整体置真空环境中执行抽真空处理，由此排出盲孔内部残留的气泡使光刻胶在盲孔中获得充分填充。 

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶，真空环境的真空度被设定为-0.3MPa～0.05MPa。 

6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，在步骤（c）中，在盲孔底部的种子层表面上所残留的光刻胶厚度被设定为小于盲孔深度值的1/2。 

7.如权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，在步骤（f）中，所述填充材料选自铜、金、银或其混合物，填充方法优先选用电镀。 

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在步骤（g）之后，还包括去除干膜、焊盘、线层重布和/或制作凸点的步骤。 

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基片选自硅、锗等单质半导体或砷化镓、磷化锢、氮化镓等化合物半导体。 

10.一种通过权利要求1-9任意一项所述的方法所制得的通孔互联结构产品。