[发明专利]一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件

权利要求书

1.一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，包括P⁺集电区（121），位于P⁺集电区（121）背面的金属阳电极（131），位于P⁺集电区（121）正面的N^—漂移区（91），位于N^—漂移区（91）上方的P型基区（41），P型基区（41）表面具有P⁺欧姆接触区（21）和N⁺源区（31），与P⁺欧姆接触区（21）和N⁺源区（31）表面均接触的金属阴极电极（11）；还包括多晶硅栅电极（61），多晶硅栅电极（61）与P型基区（41）和N⁺源区（31）之间具有栅氧化层（71）；其特征在于，所述P型基区（41）与N^—漂移区（91）之间还具有正面N型场截止层（51），所述P⁺集电区（121）与N^—漂移区（91）之间还具有背面N型场截止层（111）；同时，在正面N型场截止层（51）下方的N^—漂移区（91）中具有与正面N型场截止层（51）相接触的正面P型埋层（81），在背面N型场截止层（111）上方的N^—漂移区（91）中具有与背面N型场截止层（111）相接触的背面P型埋层（101）。

2.根据权利要求1所述的双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，其特征在于，所述正面N型场截止层（51）和背面N型场截止层（111）的厚度及掺杂浓度可根据器件设计需要进行调整；所述正面P型埋层（81）的掺杂量与正面N型场截止层（51）的掺杂量相匹配，以形成相互补偿效应；所述背面P型埋层（101）的掺杂量与背面N型场截止层（111）的掺杂量相匹配，以形成相互补偿效应。

3.根据权利要求1或2所述的双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，其特征在于，所述正面P型埋层（81）与背面P型埋层（101）上下对称设置。

4.根据权利要求1或2所述的双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，其特征在于，所述正面P型埋层（81）与背面P型埋层（101）上下非对称设置。

5.根据权利要求1至4中任一所述的双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，其特征在于，所述P⁺集电区（121）为电场终止结构、透明阳极结构或阳极短路结构。

6.根据权利要求1至4中任一所述的双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，其特征在于，所述多晶硅栅电极（61）与栅氧化层（71）形成平面栅结构或沟槽栅结构。

7.根据权利要求1至4中任一所述的双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，其特征在于，所述金属阳电极（131）和金属阴电极（11）的材料为铝、铜或其他合金材料。

8.根据权利要求1至4中任一所述的双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，其特征在于，所述双面场截止带埋层的RB-IGBT器件的半导体材料为硅、碳化硅、砷化镓或者氮化镓。