[发明专利]制造太阳能电池及其掺杂层的方法

权利要求书

1.一种用于制造太阳能电池的掺杂层的方法，所述方法包括：

向基板离子注入掺杂物；以及

进行热处理以活化掺杂物，

其中，在用于活化的热处理中，在第一气体气氛下以低于第一温度的温度形成抗外扩散膜之后以所述第一温度对所述基板进行热处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体气氛包括氧气，并且所述抗外扩散膜包括氧化物膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在形成所述抗外扩散膜的过程中，与氧气一起提供氮气。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括在不同于所述第一气体气氛的第二气体气氛下以所述第一温度对所述基板进行热处理。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二气体气氛包括氮气。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述用于活化的热处理包括初始过程和保持过程，

在所述初始过程中，温度从低于所述第一温度的第二温度增大到所述第一温度，

在所述保持过程中保持所述第一温度，并且

至少在所述初始过程中提供所述第一气体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述初始过程包括第一初始过程和第二初始过程，

在所述第一初始过程中，温度从所述第二温度增大到低于所述第一温度的第三温度，

在所述第二初始过程中，温度从所述第三温度增大到所述第一温度，并且

在所述第一初始过程中提供所述第一气体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述保持过程的处理时间长于所述第一初始过程的处理时间。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一初始过程的处理时间处于大约1分钟至大约60分钟的范围内。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第二初始过程和所述保持过程中提供不同于所述第一气体气氛的第二气体气氛。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，所述用于活化的热处理进一步包括处于所述保持过程之后的其中温度降低的结束过程。

12.根据权利要求6所述的方法，其中，在同一热处理设备中连续地执行所述初始过程和所述保持过程。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度处于大约950℃至1300℃的范围内。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述抗外扩散膜过程中的温度处于大约650℃至900℃的范围内。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗外扩散膜具有大约0.1nm至20nm的厚度。

16.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括在所述用于活化的热处理之后对所述基板进行清洁的步骤，

其中，在清洁的步骤中消除所述抗外扩散膜。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述清洁的步骤中将形成在所述基板的表面上的硅酸盐玻璃与所述抗外扩散膜一起消除。

18.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括在离子注入的步骤与所述用于活化的热处理的步骤之间在所述基板的表面上形成覆盖层的步骤，

其中，在所述用于活化的热处理期间，在所述覆盖层上形成所述抗外扩散膜。

19.一种用于制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

执行根据权利要求1所述的用于制造掺杂层的方法；以及

形成电连接到所述掺杂层的电极。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述掺杂层是发射极层、前表面场层和背表面场层中的至少一种。