[发明专利]光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统

权利要求书

1.一种形成光伏器件的方法，包括：

提供衬底；以及

在所述衬底上沉积光伏叠层的一个或多个层，所述一个或多个层的沉积包括以下步骤：

执行高功率快闪沉积以沉积所述层的第一部分；以及

执行低功率沉积以沉积所述层的第二部分。

2.根据权利要求1的方法，其中所述一个或多个层包括位于所述衬底上形成的透明电极与p型层之间的缓冲层，所述方法进一步包括：

执行所述高功率快闪沉积以沉积所述缓冲层的第一部分，以及

执行所述低功率沉积以沉积所述缓冲层的第二部分。

3.根据权利要求2的方法，其中所述缓冲层包括所述透明电极上沉积的锗。

4.根据权利要求1的方法，其中执行高功率快闪沉积包括以小于约5秒沉积小于约5nm的厚度。

5.根据权利要求1的方法，其中执行高功率快闪沉积包括沉积结晶性随深度增加的厚度。

6.根据权利要求1的方法，其中执行高功率快闪沉积包括以约100mW/cm²至约100W/cm²之间的功率提供等离子体增强化学气相沉积。

7.根据权利要求1的方法，其中执行高功率快闪沉积包括以脉冲的方式执行所述高功率快闪沉积以在同一层中形成高功率快闪沉积材料的多个厚度。

8.根据权利要求1的方法，其中沉积所述一个或多个层包括沉积用于p型层和缓冲层的结晶性增加的层，所述缓冲层形成于所述衬底上的透明电极与所述p型层之间。

9.根据权利要求1的方法，其中所述高功率快闪沉积在所述低功率沉积之前执行。

10.根据权利要求1的方法，其中所述高功率快闪沉积在所述低功率沉积之后执行。

11.一种形成光伏器件的方法，包括：

提供衬底；以及

在所述衬底上形成的透明电极与光伏叠层的p型层之间沉积缓冲层，沉积所述缓冲层包括以下步骤：

执行高功率快闪沉积以沉积所述缓冲层的第一部分，从而增加所述缓冲层的结晶性和导电性；以及

执行低功率沉积以沉积所述缓冲层的第二部分并具有更加非晶的形式。

12.根据权利要求11的方法，其中所述缓冲层包括沉积于所述透明电极上的锗。

13.根据权利要求11的方法，其中执行高功率快闪沉积包括以小于约5秒沉积小于约5nm的厚度。

14.根据权利要求11的方法，其中执行高功率快闪沉积包括沉积结晶性随深度增加的厚度。

15.根据权利要求11的方法，其中执行高功率快闪沉积包括以约100mW/cm²至约100W/cm²之间的功率提供等离子体增强化学气相沉积。

16.根据权利要求11的方法，其中执行高功率快闪沉积包括以脉冲的方式执行所述高功率快闪沉积以在同一层中形成高功率快闪沉积材料的多个厚度。

17.根据权利要求11的方法，进一步包括通过执行高功率快闪沉积以沉积所述p型层的第一部分以及执行低功率沉积以沉积所述p型层的第二部分来沉积所述p型层。

18.根据权利要求11的方法，其中所述高功率快闪沉积在所述低功率沉积之后执行。

19.一种等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统，包括：

真空室，其被配置为接收用于形成光伏器件的衬底；

第一功率发生器，其被配置为在所述真空室中产生电场，从而执行高功率PECVD快闪沉积以在所述衬底上沉积层的第一部分，所述层包括在光伏叠层的一个或多个层中；以及

第二功率发生器，其被配置为在所述真空室中产生电场，从而执行低功率PECVD沉积以在所述衬底上沉积所述层的第二部分。

20.根据权利要求19的系统，其中所述高功率快闪沉积以小于约5秒形成小于约5nm的厚度。

21.根据权利要求19的系统，其中所述第一功率发生器以约100mW/cm²至约100W/cm²之间的功率提供等离子体。