[发明专利]包括三维非易失性存储设备的系统及其编程方法

权利要求书

1.一种用于存储系统的编程方法，所述存储系统包括三维非易失性存储器和随机存取存储器，所述三维非易失性存储器具有页缓冲器和沿行方向布置的多级存储单元，所述方法包括：

接收外部提供的编程数据；

确定所接收的编程数据是否是与存储单元相关联并且对应于多页数据的全部数据；以及

当确定所接收的编程数据是全部数据时，通过绕过随机存取存储器将所述多页数据加载到页缓冲器，然后将所述多页数据的比特从页缓冲器同时编程到存储单元，来对所述编程数据编程，

否则将所接收的编程数据存储在随机存取存储器中。

2.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述多级存储单元被配置为存储至少三比特数据，使得所述全部数据包括至少最低有效比特(LSB)页、中间有效比特(CSB)页和最高有效比特(MSB)页。

3.如权利要求2所述的编程方法，其中，对编程数据的编程包括：

将编程命令与指示沿行方向布置存储单元的对应地址传递到三维非易失性存储器；

将LSB页、CSB页和MSB页依序传递到三维非易失性存储器；以及

将指示开始编程操作的确认命令传递到三维非易失性存储器。

4.如权利要求3所述的编程方法，其中，所述三维非易失性存储器还包括高速缓存锁存器，该高速缓存锁存器被配置为存储LSB页、CSB页和MSB页，对编程数据的编程还包括：

在传递各个LSB页、CSB页和MSB页之后，将转储命令传递到三维非易失性存储器，使得高速缓存锁存器响应于该转储命令而将LSB页、CSB页和MSB页之一转储到相应的锁存器。

5.如权利要求1所述的编程方法，其中，在编程操作期间通过单个地址识别每一个存储单元，并且在读取操作期间通过两个或更多不同的地址来识别每一个存储单元。

6.一种用于存储系统的编程方法，该存储系统包括控制器、具有页缓冲器和沿行方向布置的多级存储单元的三维非易失性存储器、以及随机存取存储器，该方法包括：

在控制器中接收外部提供的多页编程数据；

将所接收的编程数据存储在随机存取存储器中，直到存储在随机存取存储器中的所接收的编程数据是与存储单元的行相关联并且对应于多页数据的全部数据为止，所述全部数据包括至少最低有效比特(LSB)页、中间有效比特(CSB)页和最高有效比特(MSB)页；

将该多页编程数据加载到页缓冲器中；以及

将所述多页数据从页缓冲器同时编程到存储单元中。

7.如权利要求6所述的编程方法，其中，所述存储单元的行被配置为存储至少三比特数据。

8.如权利要求7所述的编程方法，还包括：

将编程命令与指示沿行方向布置存储单元的对应地址传递到三维非易失性存储器；

将LSB页、CSB页和MSB页从控制器依序传递到三维非易失性存储器；以及

将指示开始对LSB页、CSB页和MSB页编程的编程操作的确认命令传递到三维非易失性存储器。

9.如权利要求7所述的编程方法，其中，同时执行LSB页、CSB页和MSB页从随机存取存储器到页缓冲器的加载。

10.如权利要求7所述的编程方法，其中，当控制器正在接收CSB页时至少部分地执行LSB页从随机存取存储器到页缓冲器的加载，并且当控制器正在接收MSB页时至少部分地执行CSB页从随机存取存储器到页缓冲器的加载。

11.如权利要求6所述的编程方法，其中，在编程操作期间通过单个地址识别每一个存储单元，并且在读取操作期间通过两个或更多不同的地址来识别每一个存储单元。