[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置及其制造方法。

【背景技术】

传统的显示装置的像素单元中，栅极线（Gate Line）与位于其上的透明电极（ITO）形成有储存电容（Cst），该储存电容可以用于提高显示装置的开口率。

但是，该储存电容会成为栅极线的电容负载，这会增加栅极线上的扫描信号的阻容延迟（RC Delay）。

要减小阻容延迟，需要减小储存电容。而减小该储存电容的一种解决方案是减少上述栅极线与透明电极的有效面积（栅极线与透明电极重叠的部分）。

在实践中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

该储存电容的有效面积的改变在制程中有较高的要求。曝光对位不准（曝光位置发生变动）、蚀刻不均匀等都会造成无法实现准确地改变该储存电容的有效面积的效果。

因此，减少储存电容的有效面积这一技术方案不能有效地实现减小储存电容这一技术效果。

故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

【发明内容】

本发明的一个目的在于提供一种显示装置，其能使得显示装置的栅极线材料层与透明电极层所形成的储存电容较小，进而减小栅极线上的扫描信号的阻容延迟。

为解决上述问题，本发明的技术方案如下：

一种显示装置，所述显示装置包括：一显示基板，包括多个像素单元；其中，所述像素单元包括薄膜晶体管，所述像素单元还包括：一栅极线材料层；一透明电极层，设置于所述栅极线材料层的法线正方向的上方，并且所述透明电极层与所述栅极线材料层在所述法线正方向上具有重叠部分；一半导体层；以及一金属层；所述半导体层与所述金属层均设置于所述栅极线材料层与所述透明电极层之间；在所述法线正方向上，所述半导体层与所述金属层部分或全部位于所述重叠部分中；所述金属层在所述法线正方向上位于所述半导体层的上方。

在上述显示装置中，所述半导体层与所述薄膜晶体管中的通道层属于同一层；所述金属层与所述薄膜晶体管中的源极/漏极金属层属于同一层。

在上述显示装置中，所述栅极线材料层与所述半导体层之间夹有第一绝缘层，所述金属层与所述透明电极层之间夹有第二绝缘层。

在上述显示装置中，所述栅极线材料层与所述透明电极层之间的距离为所述金属层的厚度1.01倍至10倍。

在上述显示装置中，所述半导体层为非晶硅层。

本发明的另一个目的在于提供一种显示装置的制造方法，其能使得显示装置的栅极线材料层与透明电极层所形成的储存电容较小，进而减小栅极线上的扫描信号的阻容延迟。

一种显示装置的制造方法，所述方法包括以下步骤：在所述显示装置的显示基板上形成栅极线材料层；按先后顺序在所述栅极线材料层的法线正方向的表面上形成半导体层和金属层；沿所述法线正方向，在所述金属层的上表面上形成透明电极层，所述透明电极层与所述栅极线材料层在所述法线正方向上具有重叠部分；所述半导体层与所述金属层均设置于所述栅极线材料层与所述透明电极层之间，并且在所述法线正方向上，所述半导体层与所述金属层部分或全部位于所述重叠部分中，所述金属层在所述法线正方向上位于所述半导体层的上方。

在上述显示装置的制造方法中，所述半导体层与所述显示基板的薄膜晶体管中的通道层属于同一层；所述金属层与所述薄膜晶体管中的源极/漏极金属层属于同一层。

在上述显示装置的制造方法中，所述栅极线材料层和所述半导体层之间还包括第一绝缘层，所述金属层和所述透明电极层之间还包括第二绝缘层，所述方法还包括以下步骤：在形成所述栅极线材料层后，在所述栅极线材料层的法线正方向的表面上形成第一绝缘层；沿所述法线正方向，在所述金属层的上表面上形成所述第二绝缘层；所述方法中，在所述金属层的上表面上形成透明电极层的步骤为：沿所述法线正方向，在所述第二绝缘层的上表面上形成所述透明电极层。

在上述显示装置的制造方法中，所述栅极线材料层与所述透明电极层之间的距离为所述金属层的厚度1.01倍至10倍。

在上述显示装置的制造方法中，所述半导体层为非晶硅层。

相对现有技术，本发明由于在栅极线材料层和透明电极层之间设置有半导体层和金属层，因此增加了栅极线材料层和透明电极层之间的距离，从而减小了栅极线材料层和透明电极层所形成的储存电容。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

【附图说明】

图1A为本发明的显示装置的第一实施例的示意图；