[发明专利]低辐射涂料组合物、其制备方法和低辐射材料有效

专利信息
申请号: 201310167462.8 申请日: 2013-05-08
公开(公告)号: CN103214947A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 朱英;鹿现永;腾超;李勇;江雷 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;C09D165/00;C09D179/02;C09D179/04;C09D5/24;C09D7/12;C08G61/12;C08G73/02;C08G73/06
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;徐川
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 辐射 涂料 组合 制备 方法 材料
【权利要求书】:

1.一种低辐射涂料组合物,其特征在于,所述低辐射涂料组合物包括:

1~15wt%的半导体纳米颗粒;

1~10wt%的水溶性导电高分子材料;

10~60wt%的有机硅树脂;

其中所述半导体纳米颗粒具有1~100nm的平均粒径。

2.根据权利要求1所述的低辐射涂料组合物,其特征在于,所述半导体纳米颗粒为选自银、金、氧化铟锡、氧化锡锑、氧化锌铝、氧化锌镓的颗粒中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的低辐射涂料组合物,其特征在于,所述水溶性导电高分子材料由一种或多种导电高分子单体与聚苯乙烯磺酸盐聚合形成,所述导电高分子单体选自苯胺、苯胺衍生物、吡咯、吡咯衍生物、C1~18烷基取代的噻吩和二乙氧基噻吩。

4.根据权利要求1所述的低辐射涂料组合物,其特征在于,所述有机硅树脂由一种或多种有机硅单体聚合形成,所述有机硅单体选自甲基三乙酰氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、二乙烯基三氨基丙基三甲氧基硅烷、二乙烯基三氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、α-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷、N-(α-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三乙氧基硅烷中。

5.一种制备低辐射涂料组合物的方法,其特征在于,所述方法包括:

使平均粒径为1~100nm的半导体纳米颗粒在包括水的溶剂中分散得到半导体纳米颗粒分散液,其中所述半导体纳米颗粒的含量为所述半导体纳米颗粒分散液总重量的20~50%;

使导电高分子单体与聚苯乙烯磺酸盐以1∶1~2∶1的摩尔比在包括水的溶剂中聚合形成5~20%的水溶性导电高分子材料溶液;

使有机硅单体在包括水的溶剂中聚合形成50~90%的有机硅树脂溶液;

以1∶10~15∶1的所述半导体纳米颗粒与所述水溶性导电高分子材料的重量比将所述半导体纳米颗粒分散液与所述水溶性导电高分子材料溶液混合得到复合浆料;

将所述复合浆料与所述有机硅树脂溶液以20~50%∶50~80%的重量比混合得到低辐射涂料组合物。

6.根据权利要求5所述的低辐射涂料组合物,其特征在于,所述半导体纳米颗粒为选自银、金、氧化铟锡、氧化锡锑、氧化锌铝、氧化锌镓的颗粒中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的制备低辐射涂料组合物的方法,其特征在于,所述导电高分子单体为选自苯胺、苯胺衍生物、吡咯、吡咯衍生物、C1~18烷基取代的噻吩和二乙氧基噻吩中的一种或多种。

8.根据权利要求5所述的低辐射涂料组合物,其特征在于,所述有机硅单体为选自甲基三乙酰氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、二乙烯基三氨基丙基三甲氧基硅烷、二乙烯基三氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、α-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷、N-(α-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-巯丙基三乙氧基硅烷中的一种或多种。

9.一种低辐射材料,其特征在于,所述低辐射材料包括基底和由根据权利要求1至4中任一项所述的低辐射涂料组合物形成的涂层。

10.根据权利要求9所述的低辐射材料,所述基底为玻璃或透明塑料。

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