[发明专利]一种硅量子点的制备及其应用无效
申请号: | 201310167186.5 | 申请日: | 2013-05-08 |
公开(公告)号: | CN103232845A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 刘祥;程鹤鸣;赵田田 | 申请(专利权)人: | 安徽工业大学 |
主分类号: | C09K11/59 | 分类号: | C09K11/59;C01B33/021;G01N33/52;B82Y20/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 蒋海军 |
地址: | 243002 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 制备 及其 应用 | ||
1.一种硅量子点的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)将洁净的平面硅片浸入5.0M氢氟酸和0.005M硝酸银混合水溶液中,进行化学刻蚀反应,控制反应温度在50℃,反应时间为60min;
(2)取出步骤(1)得到的硅片,放入33%的硝酸水溶液中浸泡20min,取出后用大量去离子水冲洗,并用氮气吹干,获得多孔硅;
(3)将步骤(2)获得的多孔硅浸入1~8M氢氟酸与1M硝酸组成的混合水溶液中,控制反应温度在30~60℃,反应时间为30~180min,获得硅量子点前驱体,经过超声处理可获得硅量子点。
2.如权利要求1所述的硅量子点对多巴胺分子荧光标记的方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)权利要求1制备的硅量子点前驱体浸入5M氢氟酸中,控制温度在50℃,持续时间5min,制备出表面含有Si-H键的硅量子点前驱体;
(2)步骤(1)获得的表面含有Si-H键的硅量子点前驱体用乙醇冲洗并用氮气吹干,氮气保护下与十一烯酸反应,控制反应温度在140℃,反应时间为4h;
(3)步骤(2)所得产物,用乙醇充分浸泡,去除附在硅片上的十一烯酸,氮气吹干后获得表面带有羧基的硅量子点前驱体;
(4)步骤(3)获得的表面带有羧基的硅量子点前驱体在二环己基碳二亚胺催化下,与N-羟基丁二酰亚胺反应,控制反应温度为40℃,反应时间为4h;
(5)步骤(4)获得的硅量子点前驱体与溶解在pH=7.4磷酸缓冲溶液的多巴胺反应,控制反应温度为36℃,反应时间为4h,产物经充分清洗并在水中超声,获得硅量子点荧光标记的多巴胺分子。
3.如权利要求1所述的硅量子点在对除多巴胺分子之外的其他含伯胺基生物分子的硅量子点荧光标记中的应用。
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