[发明专利]一种电场阻止型绝缘栅双极型晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201310166256.5 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104143510A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 芮强;张硕;王根毅;邓小社 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电场 阻止 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种电场阻止型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，其包括：
通过在硅片背面注入形成N+阱，经高温推阱形成N+阻止层的步骤；
在硅片正面形成栅氧层的步骤；
在栅氧层上形成多晶硅层的步骤；
对多晶硅层进行光刻与刻蚀，留出形成器件P型区注入区域开口的步骤；
P型区注入与扩散，形成承受耐压和阈值所需的P型区的步骤；
通过光刻、注入和扩散在P型区内形成N+源区的步骤；
通过化学气相沉积，形成介质层的步骤；
在所述介质层上形成短接P型区和源区的接触孔的步骤；
在所述介质层表面淀积金属电极层的步骤；
在硅片背面N+阻止层的外侧通过注入与退火形成背面P+层的步骤；
在硅片背面金属化的步骤。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅片为单面扩散N型硅片。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述接触孔是通过孔光刻与刻蚀介质层而形成。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述在硅片背面金属化是通过物理气相沉积的方式在硅片背面P+层形成一层金属层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述在背面注入形成N+阱，经高温推阱在硅片背面形成N+阻止层的步骤中，注入的注入能量为80千电子伏特～160千电子伏特，掺杂浓度为1E15～1E16数量级。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述在背面注入形成N+阱，经高温推阱在硅片背面形成N+阻止层的步骤中，所述推阱条件采用1100℃～1250℃长时间推阱，推阱后的深度为20微米。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述在硅片背面形成P+层的步骤中，掺杂浓度为1E18～1E20数量级，注入能量为30千电子伏特～60千电子伏特。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述在硅片背面形成P+层的步骤中，退火温度为300℃～500℃，退火时间为20分钟～90分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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