[发明专利]高温氧化设备

权利要求书

1.一种高温氧化设备，其特征在于，用于提高硅片上方所沉积的薄膜的厚度的均匀性，所述高温氧化设备包括一立式筒状晶舟，所述晶舟内设置有多个在竖直方向上等距离平行排列的支撑环，所述支撑环上下均匀排列分布于所述晶舟内；

每个所述支撑环均为圆台状的环形支撑环，且每个支撑环的半径自顶部向底部逐步递增，支撑环底部的半径与晶舟的内径相同，从而将支撑环的底部的周边连接在晶舟的内壁上。

2.根据权利要求1所述的高温氧化设备，其特征在于，每个所述支撑环的斜壁与所述晶舟的内壁之间的夹角皆为70°至80°。

3.根据权利要求1所述的高温氧化设备，其特征在于，每个所述支撑环顶部和底部均设置有开口。

4.根据权利要求1所述的高温氧化设备，其特征在于，所述晶舟为石英晶舟。

5.根据权利要求1所述的高温氧化设备，其特征在于，所述支撑环的顶部放置有晶圆，且上下相邻的两个晶圆各自中心处之间距离，要大于下方晶圆边缘位置处与用于承载上方晶圆的支撑环的侧壁之间的距离。

6.根据权利要求1所述的高温氧化设备，其特征在于，所述晶舟内壁和外壁之间为空心结构。

7.根据权利要求1所述的高温氧化设备，其特征在于，所述晶舟的底端上设置有进气孔。

8.根据权利要求6所述的高温氧化设备，其特征在于，以环绕的方式在晶舟的位于上下相邻的支撑环之间的内壁上设置有多个排气孔。