[发明专利]检测装置的制造方法、检测装置和检测系统

权利要求书

1.一种检测装置的制造方法，所述检测装置包括设置在基板上的多个转换元件，所述转换元件中的每一个包含设置在基板上的第一电极、设置在第一电极之上的第二电极、设置在第一电极与第二电极之间的半导体层以及设置在半导体层与第二电极之间的杂质半导体层，所述制造方法包括：

膜形成步骤，依次在多个第一电极上方相继形成成为半导体层的半导体膜、成为杂质半导体层的杂质半导体膜和成为第二电极的导电膜；

第一去除步骤，通过使用在导电膜上形成的抗蚀剂来部分地去除导电膜，由此在所述多个第一电极中的每一个上形成导电层；

第二去除步骤，通过使用所述抗蚀剂，使用与导电膜的反应比与杂质半导体膜的反应和与半导体膜的反应慢的蚀刻剂通过多个导电层之间的空间进行蚀刻来去除半导体膜的一部分和杂质半导体膜的一部分，由此在所述多个第一电极中的每一个上形成半导体层和杂质半导体层；以及

第三去除步骤，通过使用调整后的抗蚀剂来去除导电层的一部分，由此形成第二电极，其中所述部分与在第二去除步骤中形成的杂质半导体层的端部相比位于转换元件的外侧，所述调整后的抗蚀剂是通过去除上述抗蚀剂的一部分以使得上述抗蚀剂的端部和杂质半导体层的端部位于直线上而获得的。

2.根据权利要求1的检测装置的制造方法，其中，在第三去除步骤中，通过去除导电层的一部分以使得杂质半导体层的端部和第二电极的端部位于直线上，来形成第二电极。

3.根据权利要求1的检测装置的制造方法，其中，通过使用所述调整后的抗蚀剂蚀刻导电层的一部分来执行第三去除步骤，所述调整后的抗蚀剂是通过灰化去除上述抗蚀剂的一部分而获得的。

4.根据权利要求3的检测装置的制造方法，其中，所述检测装置包括在基板上排列的多个像素，所述像素中的每一个包含转换元件和与第一电极连接的薄膜晶体管，以及

所述制造方法还包括以下步骤：

在薄膜晶体管中的每一个之上的位置处，在被形成为覆盖设置在基板上的薄膜晶体管的层间绝缘膜中形成接触孔，由此形成第一层间绝缘层；以及

部分地去除被形成为覆盖薄膜晶体管和第一层间绝缘层的导电膜，由此形成所述多个第一电极。

5.根据权利要求4的检测装置的制造方法，其中，杂质半导体层是第二导电类型的杂质半导体层，具有与设置在第一电极与半导体层之间的第一导电类型的杂质半导体层相反的极性，

所述制造方法在第一电极形成步骤和膜形成步骤之间还包括以下步骤：部分地去除由无机绝缘材料制成的绝缘膜，由此形成绝缘部件以使得第一层间绝缘层的表面被绝缘部件和第一电极覆盖，其中所述绝缘膜被形成为覆盖由有机绝缘材料制成的第一层间绝缘层和第一电极，以及

在绝缘部件之上执行第二去除步骤。

6.根据权利要求4的检测装置的制造方法，其中，转换元件还包含设置在第一电极与半导体层之间的绝缘层，

在膜形成步骤中，在所述多个第一电极之上依次相继形成绝缘层、成为半导体层的半导体膜、成为杂质半导体层的杂质半导体膜和成为第二电极的导电膜，以及

在第二去除步骤中，通过在保留绝缘层的同时去除导电膜的一部分、杂质半导体层的一部分和半导体膜的一部分，在所述多个第一电极中的每一个上形成半导体层、杂质半导体层和导电层。

7.根据权利要求4的检测装置的制造方法，其中，假定在第三去除步骤中第二电极被形成为使得第二电极的端部与杂质半导体层的端部相比位于转换元件的更内侧的情况下所允许的第二电极的端部与杂质半导体层的端部之间的距离为D、转换元件的宽度被表示为“P”、杂质半导体层的板电阻被表示为“Rs”并且薄膜晶体管的导通电阻被表示为“Ron”，则满足以下公式：

4×Rs（D/P）≤Ron。

8.根据权利要求1的检测装置的制造方法，其中，所述制造方法还包括以下步骤：

在第二电极之上的位置处在被形成为覆盖转换元件的层间绝缘膜中形成接触孔，由此形成第二层间绝缘层；

部分地去除被形成为覆盖第二层间绝缘层和第二电极的透明导电氧化物膜，由此形成第一导电层；以及

部分地去除被形成为覆盖第一导电层和第二层间绝缘层的金属膜，由此在第一导电层上形成第二导电层，

第二导电层被形成为使得第二导电层的正射投影位于彼此相邻的两个第一电极之间。

9.一种通过根据权利要求1所述的制造方法制造的检测装置。

10.一种检测系统，包括：

根据权利要求9所述的检测装置；

信号处理单元，被配置为处理来自所述检测装置的信号；

显示单元，被配置为显示来自所述信号处理单元的信号；以及

传送处理单元，被配置为传送来自所述信号处理单元的信号。