[发明专利]检测装置、检测系统以及检测装置的制造方法

权利要求书

1.一种检测装置，所述检测装置包含转换元件，各转换元件包含：

第一电极，其设置在基板上；

半导体层，其设置在所述第一电极上；

杂质半导体层，其设置在所述半导体层上并且至少包含第一区域和第二区域；以及

第二电极，其与所述杂质半导体层接触地设置在所述杂质半导体层的所述第一区域上，

其中，设置在所述杂质半导体层不与所述第二电极接触的位置处的所述第二区域中的薄层电阻小于所述第一区域中的薄层电阻。

2.根据权利要求1的检测装置，其中，所述第二区域具有比所述第一区域大的厚度。

3.根据权利要求2的检测装置，其中，所述第二区域由相互堆叠的多个杂质半导体层构成。

4.根据权利要求1的检测装置，其中，所述第二区域具有比所述第一区域大的杂质浓度。

5.根据权利要求1的检测装置，进一步包括：

多个像素，设置在所述基板上，所述多个像素中的每一个包含所述转换元件和与所述第一电极连接的薄膜晶体管；以及

第一层间绝缘层，其设置为覆盖所述薄膜晶体管并且具有在所述薄膜晶体管之上形成的接触孔，

其中，所述第一电极设置在所述第一层间绝缘层上并且在所述接触孔中连接到所述薄膜晶体管。

6.根据权利要求5的检测装置，其中，所述杂质半导体层是第二导电类型的杂质半导体层，其具有与设置在所述第一电极和所述半导体层之间的第一导电类型的杂质半导体层相反的极性。

7.根据权利要求4的检测装置，进一步包括绝缘部件，其设置在所述第一层间绝缘层上并且由无机绝缘材料制成，

其中，所述绝缘部件和所述第一电极覆盖所述第一层间绝缘层的表面。

8.根据权利要求5的检测装置，其中，所述转换元件进一步包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一电极和所述半导体层之间并且覆盖所述第一电极和所述第一层间绝缘层各自的表面。

9.根据权利要求5的检测装置，其中，假定所述第二区域的宽度由“D”指示，所述转换元件的宽度由“P”指示，所述第二区域中的薄层电阻由“Rs”指示，并且所述薄膜晶体管的导通电阻由“Ron”指示，则满足下式：

4×Rs（D/P）≤Ron。

10.一种检测系统，包含：

根据权利要求1的检测装置；

信号处理单元，其被配置为处理来自所述检测装置的信号；

显示单元，其被配置为显示来自所述信号处理单元的信号；以及

传输处理单元，其被配置为传输来自所述信号处理单元的信号。

11.一种检测装置的制造方法，所述检测装置包含转换元件，各转换元件包含：第一电极，其设置在基板上；半导体层，其设置在所述第一电极上；杂质半导体层，其设置在所述半导体层上，以及第二电极，其与所述杂质半导体层接触地设置在所述杂质半导体层上，所述方法包含以下步骤：

在所述第一电极上接连地依次形成成为所述半导体层的半导体膜以及包含第一区域和不同于所述第一区域的第二区域的杂质半导体膜，所述杂质半导体膜成为所述杂质半导体层，

在所述杂质半导体膜上形成成为所述第二电极的导电膜，并且至少去除所述导电膜的与所述第二电极接触的区域的一部分，从而形成第二电极；以及

将所述第二区域中的薄层电阻减小为低于所述第一区域中的薄层电阻。

12.根据权利要求11的检测装置的制造方法，其中，在接连形成膜的步骤中，所述杂质半导体膜被以与所述第二区域相同的厚度形成，并且

在减小薄层电阻的步骤中，使得所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度。

13.根据权利要求11的检测装置的制造方法，其中，在接连形成膜的步骤中，包含于所述杂质半导体膜中的第一杂质半导体膜被以与所述第一区域相同的厚度形成，并且

在减小薄层电阻的步骤中，通过在所述第一杂质半导体层的不与所述第二区域接触的区域上形成包含于所述杂质半导体膜中的第二杂质半导体层，使得所述第二区域的厚度比所述第一区域的厚度厚。

14.根据权利要求11的检测装置的制造方法，其中，在减小薄层电阻的步骤中，使得所述第二区域中的杂质浓度高于所述第一区域中的杂质浓度。