[发明专利]快速节能单晶硅拉制停炉工艺

权利要求书

1.一种快速节能单晶硅拉制停炉工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1）控制坩埚停止上升，将籽晶轴转速降低至1～3RPM，将坩埚轴转速降低至1～3RPM，将籽晶上升速度保持在1～3mm/min，控制加热系统的加热功率逐渐降低至零；

2）等待15～18分钟，炉内熔体硅结晶后关闭真空球阀，充入氩气3～4分钟，当炉压升至375～385托时停止充入氩气，关停真空泵，关闭所有电控设备；

3）等待42～45分钟，排出步骤2）中充入的氩气，再次充入氩气3～4分钟，当炉压升至675～685托时停止充入氩气，等待180～210分钟，待单晶硅冷却后拆炉将其取出。

2.如权利要求1所述的快速节能单晶硅拉制停炉工艺，其特征在于：所述步骤1）为：控制坩埚停止上升，将籽晶轴转速降低至2RPM，将坩埚轴转速降低至2RPM，将籽晶上升速度保持在2mm/min，控制加热系统的加热功率逐渐降低至零。

3.如权利要求1所述的快速节能单晶硅拉制停炉工艺，其特征在于：所述加热系统为18寸热场，所述步骤2～3）为：等待15分钟，炉内熔体硅结晶后关闭真空球阀，充入氩气3分钟，当炉压升至375托时停止充入氩气，关停真空泵，关闭所有电控设备，等待42分钟，排出步骤2）中充入的氩气，再次充入氩气3分钟，当炉压升至675托时停止充入氩气，等待180分钟，待单晶硅冷却后拆炉将其取出。

4.如权利要求1所述的快速节能单晶硅拉制停炉工艺，其特征在于：所述加热系统为20寸热场，所述步骤2～3）为：等待18分钟，炉内熔体硅结晶后关闭真空球阀，充入氩气4分钟，当炉压升至385托时停止充入氩气，关停真空泵，关闭所有电控设备，等待45分钟，排出步骤2）中充入的氩气，再次充入氩气4分钟，当炉压升至685托时停止充入氩气，等待210分钟，待单晶硅冷却后拆炉将其取出。