[发明专利]钐掺杂稀土镓酸盐发光材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种钐掺杂稀土镓酸盐发光材料，其特征在于：其化学式为La_aGd_bLu_cGa₅O₁₂∶xSm³⁺，La_aGd_bLu_cGa₅O₁₂是基质，Sm³⁺离子是激活元素，其中，a为0～3，b为0～3，c为0～3，且a+b+c=3，x为0.01～0.05。

2.一种钐掺杂稀土镓酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据La_aGd_bLu_cGa₅O₁₂∶xSm³⁺各元素的化学计量比称取La₂O₃，Gd₂O₃，Lu₂O₃，Ga₂O₃和Sm₂O₃粉体并混合均匀，其中，a为0～3，b为0～3，c为0～3，且a+b+c=3，x为0.01～0.05；及

将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到化学式为La_aGd_bLu_cGa₅O₁₂∶xSm³⁺的钐掺杂稀土镓酸盐发光材料。

3.一种钐掺杂稀土镓酸盐发光薄膜，其特征在于，该钐掺杂稀土镓酸盐发光薄膜的材料的化学通式为La_aGd_bLu_cGa₅O₁₂∶xSm³⁺，La_aGd_bLu_cGa₅O₁₂是基质，Sm³⁺离子是激活元素，其中，a为0～3，b为0～3，c为0～3，且a+b+c=3，x为0.01～0.05。

4.一种钐掺杂稀土镓酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据La_aGd_bLu_cGa₅O₁₂∶xSm³⁺各元素的化学计量比称取La₂O₃，Gd₂O₃，Lu₂O₃，Ga₂O₃和Sm₂O₃粉体并混合均匀在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时制成靶材，其中，a为0～3，b为0～3，c为0～3，且a+b+c=3，x为0.01～0.05；

将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，激光能量为50W～300W，接着进行制膜，得到化学式为La_aGd_bLu_cGa₅O₁₂∶xSm³⁺的钐掺杂稀土镓酸盐发光薄膜。

5.根据权利要求4所述的钐掺杂稀土镓酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空腔体的真空度为5.0×10^-4Pa，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强为3Pa，工作气体为氧气，工作气体的流量为20sccm，衬底温度为500℃，激光能量为150W。