[发明专利]一种增强TiO2电极电化学性能的处理方法有效
申请号: | 201310161104.6 | 申请日: | 2013-05-03 |
公开(公告)号: | CN103265067A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 李东栋;吴慧;徐辰;汪军;鲁林峰;陈小源 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | C01G23/047 | 分类号: | C01G23/047 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 tio sub 电极 电化学 性能 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光电化学电极材料领域,特别是涉及一种增强TiO2电极电化学性能的处理方法。
背景技术
TiO2因具有低成本、半导体性质和化学性质稳定等优势引起很多研究者的兴趣,并广泛应用于太阳能电池、光催化、传感器、生物医学等领域。近年来,能源匮乏的问题日益突出,解决能源危机时不可待。因此,寻找廉价的储能材料和清洁能源成为研究的热点。但TiO2在储能器件和光催化制氢领域的应用受限,这主要归结于其较宽的带隙和较差的电导率。因此,降低带隙宽度和提高电导率有望使TiO2电极的性能得到很大提升,一定程度上缓解能源匮乏危机。
目前,在能带结构调制方面,一般通过引入金属(J Mater Chem2011,21,9079-9087.)、非金属(Chem Rev2007,107,2891-2959.)及氧空位(Nano Lett2012,12,1690-1696.)等方法对TiO2纳米晶进行掺杂,实现电化学性能的提高。但是目前的这些掺杂方法成本昂贵、操作时间长且繁琐,最重要的是掺杂效果不稳定,影响性能的稳定提升。例如,Chen等将TiO2颗粒在200°C的H2氛围中退火5天,有效的改善TiO2能隙从而提高TiO2颗粒对可见光的响应,增加TiO2颗粒光催化活性(Science2011,331(6018),746-750.),但这种方法的处理时间较长。又如,Lu等在TiO2纳米管高温退火时通入H2,通过引入掺杂和缺陷提高TiO2电极的电容性能(Nano Lett2012,12,1690-1696.),但此方法需要高温,且TiO2的电化学性能提高有限,同时H2退火的电极较脆,易断裂。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种增强TiO2电极电化学性能的处理方法,用于解决现有技术中掺杂的方法成本昂贵、操作繁琐、操作时间长且掺杂效果不稳定的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种增强TiO2电极电化学性能的处理方法,所述增强TiO2电极电化学性能的处理方法至少包括步骤:
对制备的TiO2电极进行气体等离子体处理,引入掺杂元素或氧空位,从而实现有效掺杂。
其中,所述TiO2电极为一维结构。
优选地,采用电化学方法、水热法、模板法、溶胶凝胶法、微乳液法及气相沉积法中的任意一种方法来制备所述TiO2电极。
优选地,所述电化学方法包括恒压/恒流阳极氧化法和脉冲氧化法。
优选地,所述一维纳米结构为纳米管或纳米线结构。
优选地,进行等离子体处理前,还包括对所述TiO2电极进行退火处理的步骤。
优选地,进行退火处理的温度范围为400~800℃,退火处理的时间范围为1~20h。
优选地,等离子体处理采用的气体包括H2、N2、CH4及NH3中的一种或多种,气体的流量为20~500sccm。
优选地,等离子体处理时,体系气压为20~200Pa,处理温度为25~650℃,射频电源的功率为10~200mW/cm2,反应时间为1~180min。
如上所述,本发明的增强TiO2电极电化学性能的处理方法,具有以下有益效果:通过采用高活性气体等离子体对制备的一维结构的TiO2电极进行处理,可以在较低温度和较短时间内实现有效和可控的掺杂。经过本发明提供的处理方法处理后,由于等离子体的轰击作用,可以进一步增加TiO2电极中一维纳米结构表面粗糙度,提高一维纳米结构的比表面积;并且掺杂元素或氧空位的引入降低了材料的能隙,提高材料电导率,从而可有效增强材料的电化学性能和光电性能,为TiO2纳米材料在超级电容、锂离子电池、太阳能电池以及光电催化材料等领域的性能提升提供了有效途径。
附图说明
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