[发明专利]一种增强TiO2电极电化学性能的处理方法有效

专利信息
申请号: 201310161104.6 申请日: 2013-05-03
公开(公告)号: CN103265067A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 李东栋;吴慧;徐辰;汪军;鲁林峰;陈小源 申请(专利权)人: 上海中科高等研究院
主分类号: C01G23/047 分类号: C01G23/047
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 增强 tio sub 电极 电化学 性能 处理 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及光电化学电极材料领域,特别是涉及一种增强TiO2电极电化学性能的处理方法。

背景技术

TiO2因具有低成本、半导体性质和化学性质稳定等优势引起很多研究者的兴趣,并广泛应用于太阳能电池、光催化、传感器、生物医学等领域。近年来,能源匮乏的问题日益突出,解决能源危机时不可待。因此,寻找廉价的储能材料和清洁能源成为研究的热点。但TiO2在储能器件和光催化制氢领域的应用受限,这主要归结于其较宽的带隙和较差的电导率。因此,降低带隙宽度和提高电导率有望使TiO2电极的性能得到很大提升,一定程度上缓解能源匮乏危机。

目前,在能带结构调制方面,一般通过引入金属(J Mater Chem2011,21,9079-9087.)、非金属(Chem Rev2007,107,2891-2959.)及氧空位(Nano Lett2012,12,1690-1696.)等方法对TiO2纳米晶进行掺杂,实现电化学性能的提高。但是目前的这些掺杂方法成本昂贵、操作时间长且繁琐,最重要的是掺杂效果不稳定,影响性能的稳定提升。例如,Chen等将TiO2颗粒在200°C的H2氛围中退火5天,有效的改善TiO2能隙从而提高TiO2颗粒对可见光的响应,增加TiO2颗粒光催化活性(Science2011,331(6018),746-750.),但这种方法的处理时间较长。又如,Lu等在TiO2纳米管高温退火时通入H2,通过引入掺杂和缺陷提高TiO2电极的电容性能(Nano Lett2012,12,1690-1696.),但此方法需要高温,且TiO2的电化学性能提高有限,同时H2退火的电极较脆,易断裂。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种增强TiO2电极电化学性能的处理方法,用于解决现有技术中掺杂的方法成本昂贵、操作繁琐、操作时间长且掺杂效果不稳定的问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种增强TiO2电极电化学性能的处理方法,所述增强TiO2电极电化学性能的处理方法至少包括步骤:

对制备的TiO2电极进行气体等离子体处理,引入掺杂元素或氧空位,从而实现有效掺杂。

其中,所述TiO2电极为一维结构。

优选地,采用电化学方法、水热法、模板法、溶胶凝胶法、微乳液法及气相沉积法中的任意一种方法来制备所述TiO2电极。

优选地,所述电化学方法包括恒压/恒流阳极氧化法和脉冲氧化法。

优选地,所述一维纳米结构为纳米管或纳米线结构。

优选地,进行等离子体处理前,还包括对所述TiO2电极进行退火处理的步骤。

优选地,进行退火处理的温度范围为400~800℃,退火处理的时间范围为1~20h。

优选地,等离子体处理采用的气体包括H2、N2、CH4及NH3中的一种或多种,气体的流量为20~500sccm。

优选地,等离子体处理时,体系气压为20~200Pa,处理温度为25~650℃,射频电源的功率为10~200mW/cm2,反应时间为1~180min。

如上所述,本发明的增强TiO2电极电化学性能的处理方法,具有以下有益效果:通过采用高活性气体等离子体对制备的一维结构的TiO2电极进行处理,可以在较低温度和较短时间内实现有效和可控的掺杂。经过本发明提供的处理方法处理后,由于等离子体的轰击作用,可以进一步增加TiO2电极中一维纳米结构表面粗糙度,提高一维纳米结构的比表面积;并且掺杂元素或氧空位的引入降低了材料的能隙,提高材料电导率,从而可有效增强材料的电化学性能和光电性能,为TiO2纳米材料在超级电容、锂离子电池、太阳能电池以及光电催化材料等领域的性能提升提供了有效途径。

附图说明

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中科高等研究院,未经上海中科高等研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310161104.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top