[发明专利]分区域加热方法、装置和半导体设备有效
| 申请号： | 201310159656.3 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN104131268B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 蒲春 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 区域 加热 方法 装置 半导体设备 | ||
1.一种分区域加热方法，其特征在于，包括：
对设定为不同目标温度的多个区域进行加热；
每隔预设时间分别采集每个区域的当前温度；
对温度高于所述多个区域中最低温度的区域进行加热功率限制，其中，温度越高的区域加热功率限制的比例越大。
2.根据权利要求1所述的分区域加热方法，其特征在于，所述对温度高于所述多个区域中最低温度的区域进行加热功率限制，其中，温度越高的区域加热功率限制的比例越大的过程包括：
分别计算每个区域的温度与所述多个区域中最低温度的差值Tx’，其中x用于标识不同区域；
分别计算每个区域的加热功率限制值nx，
所述加热功率限制值其中A为大于0℃的温度值，max为求最大值的计算符号；
将每个区域的实际加热功率设置为nx×预设加热功率，实际加热功率为0的区域为保温状态。
3.根据权利要求2所述的分区域加热方法，其特征在于，
在所述加热功率限制值nx的计算公式中，A小于等于50℃。
4.根据权利要求2所述的分区域加热方法，其特征在于，
在所述加热功率限制值nx的计算公式中，A为所述多个区域中最高温度与最低温度的差值。
5.一种分区域加热装置，其特征在于，包括：
多个加热器，用于对设定为不同目标温度的多个区域进行加热；
分别设置于每个所述区域的多个温度传感器，用于每隔预设时间分别采集每个区域的当前温度；
连接于所述多个加热器和温度传感器的控制器，用于对温度高于所述多个区域中最低温度的区域进行加热功率限制，其中，温度越高的区域加热功率限制的比例越大。
6.根据权利要求5所述的分区域加热装置，其特征在于，所述控制器包括：
差值计算单元，用于分别计算每个区域的温度与所述多个区域中最低温度的差值Tx’，其中x用于标识不同区域；
加热功率限制值计算单元，用于分别计算每个区域的加热功率限制值nx，
所述加热功率限制值其中A为大于0℃的温度值，max为求最大值的计算符号；
加热功率限制单元，用于将每个区域的实际加热功率设置为nx×预设加热功率，实际加热功率为0的区域为保温状态。
7.根据权利要求6所述的分区域加热装置，其特征在于，
在所述加热功率限制值nx的计算公式中，A小于等于50℃。
8.根据权利要求6所述的分区域加热装置，其特征在于，
在所述加热功率限制值nx的计算公式中，A为所述多个区域中最高温度与最低温度的差值。
9.一种半导体设备，包括加热腔，其特征在于，所述加热腔包括如权利要求5至8中任意一项所述的分区域加热装置。
10.根据权利要求9所述的半导体设备，其特征在于，
所述半导体设备是PECVD设备。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
