[发明专利]半导体设备有效
| 申请号： | 201310159591.2 | 申请日： | 2007-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103257491A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 藤川最史;细谷邦雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1335;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
1.一种半导体设备，包括：
具有绝缘表面的第一基板；
在所述第一基板上的开关元件；
电连接到所述开关元件的像素电极；
在所述第一基板上的与所述开关元件重叠的伪层；
配备有与所述伪层重叠的柱状间隔物的第二基板，和
在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶材料，
其中，所述像素电极和所述伪层由相同的材料形成。
2.如权利要求1所述的半导体设备，其中所述柱状间隔物与所述开关元件重叠。
3.如权利要求1所述的半导体设备，其中所述柱状间隔物由黑色树脂形成。
4.如权利要求1所述的半导体设备，其中所述开关元件是薄膜晶体管、有机晶体管、二极管、MIM和ZnO变阻器中的任何一个。
5.一种半导体设备，包括：
具有绝缘表面的基板；
在所述基板上的开关元件；
电连接到所述开关元件的像素电极；
在所述基板上的与所述开关元件重叠的伪层；和
在所述基板上的覆盖所述伪层的柱状间隔物，
其中，所述像素电极和所述伪层由相同的材料形成。
6.如权利要求5所述的半导体设备，进一步包括：
面对具有所述绝缘表面的所述基板的相对基板；和
在所述基板和所述相对基板之间的包括液晶材料的液晶层，
其中，所述液晶层的操作模式是扭转向列模式或垂直对准模式。
7.如权利要求5所述的半导体设备，其中所述像素电极和所述多个伪层是透明导电膜。
8.如权利要求5所述的半导体设备，其中所述柱状间隔物包括的顶表面的面积小于所述多个伪层的顶表面的总面积。
9.如权利要求5所述的半导体设备，其中所述柱状间隔物与所述开关元件重叠。
10.如权利要求5所述的半导体设备，其中所述柱状间隔物由黑色树脂形成。
11.如权利要求5所述的半导体设备，其中所述开关元件是薄膜晶体管、有机晶体管、二极管、MIM和ZnO变阻器中的任何一个。
12.一种半导体设备，包括：
具有绝缘表面的基板；
在所述基板上的开关元件；
电连接到所述开关元件的像素电极；
在所述基板上的与所述开关元件重叠的多个伪层；和
在所述基板上的覆盖所述多个伪层的柱状间隔物，
其中，所述像素电极和所述多个伪层由相同的材料形成。
13.如权利要求12所述的半导体设备，进一步包括：
面对具有所述绝缘表面的所述基板的相对基板；和
在所述基板和所述相对基板之间的包括液晶材料的液晶层，
其中，所述液晶层的操作模式是扭转向列模式或垂直对准模式。
14.如权利要求12所述的半导体设备，其中所述像素电极和所述多个伪层是透明导电膜。
15.如权利要求12所述的半导体设备，其中所述柱状间隔物包括的顶表面的面积小于所述多个伪层的顶表面的总面积。
16.一种半导体设备，包括：
具有绝缘表面的第一基板；
在所述第一基板上的开关元件；
电连接到所述开关元件的像素电极；
在所述第一基板上的公共电极；
在所述第一基板上的与所述开关元件重叠的伪层；
具有与所述伪层重叠的柱状间隔物的第二基板，和
在所述第一基板和所述第二基板之间的包括液晶材料的液晶层，
其中，所述像素电极、所述公共电极和所述伪层由相同的材料形成。
17.如权利要求16所述的半导体设备，其中所述液晶层的操作模式是面内切换模式。
18.如权利要求16所述的半导体设备，其中提供了多个所述伪层。
19.如权利要求16所述的半导体设备，其中所述柱状间隔物与所述开关元件重叠。
20.如权利要求16所述的半导体设备，其中所述柱状间隔物由黑色树脂形成。
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