[发明专利]MEMS结构中的可调节通风口

权利要求书

1.一种MEMS结构，包括：

基片；

背板；以及

包括第一区域和第二区域的薄膜，其中第一区域被配置为感测信号而第二区域被配置为将阈值频率从第一值调节到第二值，并且

其中所述背板和所述薄膜被机械地连接到所述基片。

2.如权利要求1所述的MEMS结构，其中第一区域位于所述薄膜的中心区域中，并且其中第二区域位于所述薄膜的外围区域中。

3.如权利要求1所述的MEMS结构，其中第一区域位于由边缘环绕的区域上，并且其中第二区域覆在所述基片的一部分上。

4.如权利要求1所述的MEMS结构，其中所述背板包括第一电极和第二电极，其中第一区域对应于第一电极，并且其中第二区域对应于第二电极。

5.如权利要求1所述的MEMS结构，其中所述背板被电气地连接到感测偏压V_sense，其中所述基片被电气地连接到调谐电压V_tune，并且其中所述薄膜被电气地连接到接地。

6.如权利要求1所述的MEMS结构，其中所述背板被电气地连接到感测偏压V_sense和调谐电压V_tune，并且其中所述薄膜被电气地连接到接地。

7.如权利要求1所述的MEMS结构，其中所述背板包括第一区域和第二区域，其中所述背板的第一区域对应于所述薄膜的第一区域，其中所述背板的第二区域对应于所述薄膜的第二区域，其中所述背板的第一区域被电气地连接到感测偏压V_sense，其中所述背板的第二区域被电气地连接到调谐电压V_tune，并且其中所述薄膜被电气地连接到接地。

8.一种MEMS结构，包括：

基片；

背板；以及

包括可调节通风口的薄膜，

其中所述背板和所述薄膜被机械地连接到所述基片。

9.如权利要求8所述的MEMS结构，其中所述薄膜包括中心区域和外区域，所述外区域环绕所述中心区域，并且其中可调节通风口位于所述外区域中。

10.如权利要求8所述的MEMS结构，其中所述背板是具有第一电极和第二电极的结构化的背板，并且其中可调节通风口对应于第二电极而不对应于第一电极。

11.如权利要求8所述的MEMS结构，其中可调节通风口被配置为如果受激励则向所述基片移动。

12.如权利要求8所述的MEMS结构，其中可调节通风口被配置为如果受激励则向所述背板移动。

13.如权利要求8所述的MEMS结构，其中可调节通风口包括悬臂，并且其中所述悬臂没有通风口。

14.如权利要求8所述的MEMS结构，其中可调节通风口包括悬臂，并且其中所述悬臂包括通风口。

15.如权利要求8所述的MEMS结构，其中所述可调节通风口包括多个可调节通风口，并且其中可调节通风口以等距的距离放置地设置在所述薄膜的外围中。

16.一种用于操作MEMS结构的方法，所述方法包括：

通过相对于背板移动薄膜的感测区域，感测声学信号；以及

如果低频高能信号被检测到，则打开或关闭薄膜中的可调节通风口。

17.如权利要求16所述的方法，其中可调节通风口位于所述薄膜的外围区域中。

18.如权利要求16所述的方法，其中可调节通风口位于所述薄膜的调谐区域中，并且其中所述薄膜的调谐区域位于所述薄膜的感测区域外面。

19.一种用于操作MEMS结构的方法，所述方法包括：

通过相对于背板移动薄膜，感测声学信号；以及

如果MEMS结构的应用设定被改变，则打开或关闭薄膜中的可调节通风口。

20.如权利要求19所述的方法，其中可调节通风口位于所述薄膜的外围区域中。