[发明专利]低噪声压控振荡器偏置电路及频率源自校准方法有效
| 申请号： | 201310159077.9 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN104135233B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李旺 | 申请（专利权）人： | 成都振芯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/32 | 分类号： | H03B5/32 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙)51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 噪声 压控振荡器 偏置 电路 频率 源自 校准 方法 | ||
1.低噪声压控振荡器偏置电路频率源自校准方法，所述低噪声压控振荡器偏置电路与压控振荡器配合使用，为频率源电路中的压控振荡器提供偏置，所述低噪声压控振荡器偏置电路由恒定电压源、分压电路和滤波电容C1组成，所述的分压电路包括依次串联的电阻R1、第一双极结型晶体管BJT1和第二双极结型晶体管BJT2，电阻R1与第一双极结型晶体管BJT1的集电极连接，第一双极结型晶体管BJT1的发射极与第二双极结型晶体管BJT2的集电极连接，第一双极结型晶体管BJT1的集电极与其基极相接，第二双极结型晶体管BJT2的集电极与其基极相接；
电阻R1与第一双极结型晶体管BJT1的基极之间并联第一分压输出支路；第一双极结型晶体管BJT1的发射极与第二双极结型晶体管BJT2的基极之间并联第二分压输出支路；第一分压输出支路与第二分压输出支路并联后与滤波电容C1串接；所述的第一分压输出支路和第二分压输出支路上分别设有开关，其特征在于：所述低噪声压控振荡器偏置电路频率源自校准方法包括以下步骤：
(1)频率源电路处于闭环正常工作时，偏置电路输出的电压与LC压控振荡器的电源端连接；
(2)频率源电路处于开环自校准状态时，偏置电路输出的电压分别与LC压控振荡器的调谐电压输入端及电源端连接；所述的LC压控振荡器由相互并联的两个负阻、电感ind和电容控制电路组成，电容控制电路又由依次串联的隔直电容C2、可变电容CVAR1、可变电容CVAR2和隔直电容C3组成，隔直电容C2和隔直电容C3之间并联有相互串联的电阻R2和电阻R3，电阻R2与电阻R3之间接LC压控振荡器的电源端，可变电容CVAR1与可变电容CVAR2之间接LC压控振荡器的调谐电压输入端。
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