[发明专利]基板处理设备

权利要求书

1.一种基板处理设备，包括：

处理室，提供处理基板的内部空间；

基板支撑构件，设置在所述处理室内以支撑所述基板；

喷头，设置为面向所述基板支撑构件且将所述内部空间分隔为上部空间和下部空间，所述喷头具有等离子体供应孔，所述上部空间和所述下部空间通过所述等离子体供应孔彼此连通；

激励气体供应单元，供应激励气体至所述上部空间；

处理气体供应单元，供应处理气体至所述下部空间；以及

微波施加单元，施加微波到所述上部空间。

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述处理气体供应单元包括：

第一处理气体供应部，从所述喷头供应所述处理气体到所述下部空间；以及

第二处理气体供应部，从所述处理室的内壁供应所述处理气体到所述下部空间。

3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述第一处理气体供应部包括：

分布管线，所述激励气体经由所述分布管线流动，所述分布管线设置在所述喷头内；以及

喷射孔，限定在所述喷头的底面以与所述分布管线连通，所述喷射孔喷射所述处理气体到所述下部空间。

4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中，每个所述喷射孔相对于垂直于所述喷头的所述底面的直线倾斜。

5.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中，所述喷射孔包括：

第一喷射孔，相对于垂直于所述喷头的所述底面的直线倾斜；以及

第二喷射孔，以与所述第一喷射孔的方向不同的方向相对于所述直线倾斜。

6.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中，所述喷头包括：

固定部，固定至所述处理室；以及

肋条部，从所述固定部向内延伸，

其中，所述等离子体供应孔限定在所述肋条部之间或限定在所述肋条部和所述固定部之间。

7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述分布管线设置在所述肋条部内，并且

所述喷射孔分别被限定在所述肋条部中。

8.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述分布管线设置在所述固定部和所述肋条部内，并且

所述喷射孔分别地限定在所述肋条部中。

9.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述肋条部包括：

多个分布肋条部，相对于所述喷头的中心具有彼此不同的半径；以及

连接肋条部，设置在所述分布肋条部之间或所述分布肋条部和所述固定部之间。

10.根据权利要求9所述的基板处理设备，进一步包括：

处理气体容器，供应所述处理气体；以及

喷头管线，连接所述供处理气体容器至所述分布管线。

11.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中，在每个所述分布肋条中提供多个所述分布管线，并且所述多个分布管线分别具有独立的通道，并且

所述喷头管线被分支且连接至具有所述独立通道的每个所述分布管线。

12.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中，所述分布肋条部包括：

第一分布肋条部、第二分布肋条部、以及第三分布肋条部，它们相继设置在所述喷头的半径方向上，并且

所述分布管线包括第一分布管线、第二分布管线以及第三分布管线，它们分别设置在所述第一分布肋条部、第二分布肋条部、以及第三分布肋条部中。

13.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中，所述第一分布管线和所述第二分布管线彼此连通，并且

所述第三分布管线具有与所述第一和第二分布管线的通道不同的通道。

14.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中，所述第一分布管线和所述第三分布管线彼此连通，以及

所述第二分布管线具有与所述第一和第三分布管线的通道不同的通道。

15.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述第二处理气体供应部包括：

处理气体喷嘴，设置在所述处理室的侧壁中；以及

下喷嘴管线，连接至所述处理气体喷嘴以供应所述处理气体至所述处理气体喷嘴。