[发明专利]太阳能电池及其模块

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包含：

硅半导体基板，具有粗糙化的第一表面，所述第一表面下配置掺杂层，其中所述掺杂层具有与所述硅半导体基板相反极性的掺杂，且所述掺杂层的深度介于200纳米至1000纳米之间，所述掺杂层的表面掺杂浓度介于1×10¹⁹至5×10²⁰原子/公分³之间；

复合多功能保护膜，设置于所述掺杂层之上，所述复合多功能保护膜具有多膜层，以减少入射光的反射率，所述膜层最接近所述掺杂层的一层，其膜层厚度小于40纳米；

多个正面电极，穿透所述复合多功能保护膜而设置于所述掺杂层上；及

多个背面电极，设置于所述硅半导体基板第二表面。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层的深度介于400纳米至800纳米之间，且所述掺杂层的表面掺杂浓度介于1×10²⁰至5×10²⁰原子/公分³之间。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层的深度介于400纳米至1000纳米之间，且所述掺杂层的表面掺杂浓度介于5×10¹⁹至5×10²⁰原子/公分³之间。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层的深度介于300纳米至900纳米之间，且所述掺杂层的表面掺杂浓度介于5×10¹⁹至4×10²⁰原子/公分³之间。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，形成于所述正面电极处的所述掺杂层与非形成于所述正面电极处的所述掺杂层具有相同的深度与表面掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅半导体基板为单晶硅半导体基板或多晶硅半导体基板。

7.一种太阳能电池模块，其特征在于，包含：

多个太阳能电池，所述太阳能电池彼此串联及/或并联，每个所述太阳能电池具有受光面，每个所述太阳能电池包含：

硅半导体基板，具有粗糙化的第一表面，所述第一表面下配置掺杂层，其中所述掺杂层具有与所述硅半导体基板相反极性的掺杂，且所述掺杂层的深度介于200纳米至1000纳米之间，所述掺杂层的表面掺杂浓度介于1×10¹⁹至5×10²⁰原子/公分³之间；

复合多功能保护膜，设置于所述掺杂层之上而构成所述受光面，所述复合多功能保护膜具有多膜层，以减少入射光的反射率，所述膜层最接近所述掺杂层的一层，其膜层厚度小于40纳米；

多个正面电极，穿透所述复合多功能保护膜而设置于所述掺杂层上；及

多个背面电极，设置于所述硅半导体基板第二表面；二中介层，分别配置于所述太阳能电池的上方及下方而封装所述太阳能电池；玻璃层，罩盖于所述太阳能电池的所述受光面上的所述中介层；背板，罩盖于所述太阳能电池下方的所述中介层；及固定框，配置于所述太阳能电池的周围，与所述玻璃层、所述背板结合而构成保护所述太阳能电池的框架。

8.如权利要求7所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述掺杂层的深度介于400纳米至800纳米之间，且所述掺杂层的表面掺杂浓度介于1×10²⁰至5×10²⁰原子/公分³之间。

9.如权利要求7所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述掺杂层的深度介于400纳米至1000纳米之间，且所述掺杂层的表面掺杂浓度介于5×10¹⁹至5×10²⁰原子/公分³之间。

10.如权利要求7所述的太阳能电池模块，其特征在于，所述掺杂层的深度介于300纳米至900纳米之间，且所述掺杂层的表面掺杂浓度介于5×10¹⁹至4×10²⁰原子/公分³之间。

11.如权利要求7所述的太阳能电池模块，其特征在于，形成于所述正面电极处的所述掺杂层与非形成于所述正面电极处的所述掺杂层具有相同的深度与表面掺杂浓度。

12.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅半导体基板为单晶硅半导体基板或多晶硅半导体基板。