[发明专利]托盘及等离子体加工设备有效
| 申请号: | 201310158104.0 | 申请日: | 2013-05-02 |
| 公开(公告)号: | CN104134624B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
| 发明(设计)人: | 张宝辉;李东三;刘利坚;栾大为;高福宝;杨智慧;李宗兴 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01J37/32;H01J37/02 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 托盘 等离子体 加工 设备 | ||
1.一种托盘,用于承载被加工工件,并借助热交换气体对被加工工件的温度进行调节,所述托盘包括多个装片位,所述被加工工件一一对应地置于所述装片位上,并且,在每个所述装片位上设置有进气通道,热交换气体经由所述进气通道流入所述装片位和与之对应的被加工工件的下表面之间的缝隙中;其特征在于,所述进气通道包括边缘进气通道和中间进气通道,其中
所述边缘进气通道设置在所述装片位上,且位于所述装片位的靠近边缘的位置,并由沿所述装片位的周向间隔设置的多个边缘进气孔组成;
所述中间进气通道设置在所述装片位上,且位于所述边缘进气通道与所述装片位的中心之间,并且所述中间进气通道包括多个中间进气孔,所述多个中间进气孔沿所述装片位的圆周方向间隔设置。
2.根据权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述边缘进气孔的直径小于所述中间进气孔的直径。
3.根据权利要求2所述的托盘,其特征在于,所述边缘进气孔的直径为所述中间进气孔的直径的三分之一至三分之二之间的数值。
4.根据权利要求2或3所述的托盘,其特征在于,所述中间进气孔的直径的范围在0.6~1mm。
5.根据权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述边缘进气孔的中心线与所述装片位的边缘之间在所述装片位的径向上的间距为2~5mm。
6.根据权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述被加工工件的直径为2寸,沿所述装片位的周向排布的所述边缘进气孔的数量的范围在12~16个。
7.根据权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述被加工工件的直径为4寸,沿所述装片位的周向排布的所述边缘进气孔的数量的范围在20~24个。
8.根据权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述中间进气通道包括一个或多个,多个所述中间进气通道分别位于所述装片位的不同半径的圆周上。
9.根据权利要求8所述的托盘,其特征在于,所述被加工工件的直径为2寸,所述中间进气通道的数量为一个,且组成所述中间进气通道的多个所述中间进气孔沿所述装片位的圆周排布一圈,并且所述圆周的半径为所述被加工工件的半径的二分之一;
所述中间进气孔的数量的范围在6~10个。
10.根据权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述中间进气通道还包括中央进气孔,所述中央进气孔设置在所述装片位上,且所述中央进气孔的中心线与所述装片位的中心线重合。
11.一种等离子体加工设备,包括反应腔室、气源、位于所述反应腔室内的夹持装置,以及置于所述夹持装置上的托盘,所述托盘用于承载被加工工件,并借助由所述气源提供的热交换气体对被加工工件的温度进行调节;其特征在于,所述托盘采用了权利要求1-10任意一项权利要求所述的托盘。
12.根据权利要求11所述的等离子体加工设备,其特征在于,在所述夹持装置内设置有相互独立的第一气路和第二气路,其中
所述第一气路的输出端延伸至所述夹持装置的上表面,且单独与所述中间进气通道相连通;所述第一气路的输入端与所述气源相连通;
所述第二气路的输出端延伸至所述夹持装置的上表面,且单独与所述边缘进气通道相连通;所述第二气路的输入端与所述气源相连通;
所述气源分别经由所述第一气路和第二气路同时向所述中间进气通道和边缘进气通道输送热交换气体。
13.根据权利要求11所述的等离子体加工设备,其特征在于,所述气源还包括第一气源和第二气源,其中
所述第一气源与所述中间进气通道相连通,用以单独向所述中间进气通道输送热交换气体;
所述第二气源与所述边缘进气通道相连通,用以单独向所述边缘进气通道输送热交换气体;并且
在所述夹持装置内设置有相互独立的第一气路和第二气路,其中
所述第一气路的输出端延伸至所述夹持装置的上表面,且单独与所述中间进气通道相连通;所述第一气路的输入端与所述第一气源相连通,所述第一气源经由所述第一气路单独向所述中间进气通道输送热交换气体;
所述第二气路的输出端延伸至所述夹持装置的上表面,且单独与所述边缘进气通道相连通;所述第二气路的输入端与所述第二气源相连通,所述第二气源经由所述第二气路单独向所述边缘进气通道输送热交换气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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