[发明专利]对CMOS图像传感器的HfO2/SiO2‑Si界面的改进

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

抗反射涂层，设置在所述衬底上，所述抗反射涂层由氧化铪形成，所述抗反射涂层和所述衬底形成界面，在所述界面处的碳浓度和氯浓度小于氧浓度；

第一氧化物和第二氧化物，形成在所述抗反射涂层上方；以及

栅格，由所述第一氧化物支撑并且嵌入所述第二氧化物中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底由硅形成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述衬底是由硅和二氧化硅层形成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗反射涂层由设置在五氧化二钽上方的氧化铪形成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述界面位于所述抗反射涂层的上表面之下50μm至60μm之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗反射涂层是使用原子层沉积工艺形成的。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗反射涂层是使用二甲基氨基铪和臭氧作为前体形成的。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，等离子体增强氧化物被设置在所述抗反射涂层上方。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一氧化物、所述第二氧化物和缓冲氧化物被设置在所述抗反射涂层上方。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一氧化物具有1100埃的第一厚度，所述第二氧化物具有4200埃的第二厚度，以及所述缓冲氧化物具有500埃的第三厚度。

11.一种半导体器件，包括：

衬底，由覆盖在硅上面的二氧化硅形成；

抗反射涂层，由覆盖在五氧化二钽上面的氧化铪形成，所述抗反射涂层的氧化铪和所述衬底的二氧化硅形成界面，在所述界面处的碳浓度和氯浓度小于氧浓度；

第一氧化物和第二氧化物，形成在所述抗反射涂层上方；以及

栅格，由所述第一氧化物支撑并且嵌入所述第二氧化物中。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述界面位于所述抗反射涂层的上表面之下50μm至60μm之间。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述抗反射涂层是使用原子层沉积工艺形成的。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述抗反射涂层是使用二甲基氨基铪和臭氧作为前体形成的。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，至少两层氧化物层被设置在所述抗反射涂层上方，并且所述至少两层氧化物层支撑金属栅格。

16.一种形成半导体器件的方法，包括：

使用原子层沉积工艺和作为前体的二甲基氨基铪和臭氧在衬底上方形成抗反射涂层，其中，由设置在五氧化二钽上方的氧化铪形成所述抗反射涂层；

保持所述抗反射涂层和所述衬底之间的界面处的碳浓度和氯浓度小于氧浓度；

在所述反射涂层上方形成第一氧化物和第二氧化物；以及

形成栅格，所述栅格由所述第一氧化物支撑并且嵌入所述第二氧化物中。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，由硅和二氧化硅层形成所述衬底。

18.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：在所述抗反射涂层的上表面之下50μm至60μm之间处形成所述界面。