[发明专利]一种光模块及其制备方法

权利要求书

1.一种光模块，其特征在于，包括光组件，衬底，以及在所述衬底上生长的激光器、电吸收调制器和半导体光放大器，其中，所述电吸收调制器位于所述激光器和所述半导体光放大器之间；

所述激光器，用于在上电后输出光信号；

所述电吸收调制器，用于对所述激光器输出的光信号进行信号调制；

所述半导体光放大器，用于对所述电吸收调制器调制后的光信号进行放大；

所述光组件，用于对所述半导体光放大器放大后的光信号进行偏转及汇聚后输出。

2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述光模块还包括半导体制冷器，所述半导体制冷器与所述衬底贴合，并与所述激光器、电吸收调制器和半导体光放大器分别位于所述衬底相对的两侧。

3.根据权利要求1或2所述的光模块，其特征在于，所述衬底的材料为InP。

4.一种光模块制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上生长激光器外延材料；

对所述激光器外延材料进行刻蚀，获得激光器及电吸收调制器窗口；

在所述衬底上的所述电吸收调制器窗口生长电吸收调制器外延材料；

对所述电吸收调制器外延材料进行刻蚀，获得电吸收调制器及半导体光放大器窗口，所述电吸收调制器位于所述激光器和所述半导体光放大器窗口之间；

在所述衬底上的半导体光放大器窗口生长半导体光放大器外延材料；

对所述半导体光放大器外延材料进行刻蚀，获得半导体光放大器，使得所述电吸收调制器位于所述激光器和所述半导体光放大器之间；

在所述半导体光放大器的一侧组装光组件，并使所述半导体光放大器位于所述电吸收调制器和所述光组件之间；

其中，所述激光器在上电后输出光信号；所述电吸收调制器对所述激光器输出的光信号进行信号调制；所述半导体光放大器对所述电吸收调制器调制后的光信号进行放大；由所述光组件对所述半导体光放大器放大后的光信号进行偏转及汇聚后输出。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

将半导体制冷器与所述衬底贴合，其中，所述半导体制冷器与所述激光器、电吸收调制器和半导体光放大器分别位于所述衬底相对的两侧。

6.一种光模块，其特征在于，包括光组件，衬底，以及在所述衬底上生长的激光器、半导体光放大器和电吸收调制器，其中，所述半导体光放大器位于所述激光器和所述电吸收调制器之间；

所述激光器，用于在上电后输出光信号；

所述半导体光放大器，用于对所述激光器输出的光信号进行放大；

所述电吸收调制器，用于对所述半导体光放大器放大的光信号进行信号调制；

所述光组件，用于对所述电吸收调制器调制后的光信号进行偏转及汇聚后输出。

7.根据权利要求6所述的光模块，其特征在于，所述光模块还包括半导体制冷器，所述半导体制冷器与所述衬底贴合，并与所述激光器、半导体光放大器和电吸收调制器分别位于所述衬底相对的两侧。

8.根据权利要求6或7所述的光模块，其特征在于，所述衬底的材料为InP。

9.一种光模块制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上生长激光器外延材料；

对所述激光器外延材料进行刻蚀，获得激光器及半导体光放大器窗口；

在所述衬底上的所述半导体光放大器窗口生长半导体光放大器外延材料；

对所述半导体光放大器外延材料进行刻蚀，获得半导体光放大器及电吸收调制器窗口，所述半导体光放大器位于所述激光器和所述电吸收调制器窗口之间；

在所述衬底上的电吸收调制器窗口生长电吸收调制器外延材料；

对所述电吸收调制器外延材料进行刻蚀，获得电吸收调制器，使得所述半导体光放大器位于所述激光器和所述电吸收调制器之间；

在所述电吸收调制器的一侧组装光组件，并使所述电吸收调制器位于所述半导体光放大器和所述光组件之间；

其中，所述激光器在上电后输出光信号；所述半导体光放大器对所述激光器输出的光信号进行放大；所述电吸收调制器对所述半导体放大器放大的光信号进行信号调制；由所述光组件对所述电吸收调制器调制后的光信号进行偏转及汇聚后输出。