[发明专利]电压限制型低压配电电涌保护器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310154342.4 申请日: 2013-04-28
公开(公告)号: CN103280284A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 全宇辰 申请(专利权)人: 北京捷安通达科贸有限公司
主分类号: H01C7/12 分类号: H01C7/12;H01C17/00
代理公司: 北京工信联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11266 代理人: 黄晓军
地址: 102300 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电压 限制 低压配电 保护 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电压限制型低压配电电涌保护器的制造方法,其特征在于,包括:

将MOV陶瓷片的正表面和反表面划分成多个块状区域,所述块状区域是渗透电极浆料的区域,所述块状区域之间的连接区域是不渗透电极浆料的区域;

在所述MOV陶瓷片的正、反表面上印刷电极浆料,对印刷了电极浆料的MOV陶瓷片进行烘干、烧结处理,完成所述MOV陶瓷片的表面金属化工作,对所述MOV陶瓷片进行金属极片焊接、树脂包封、配件组装得到电压限制型低压配电电涌保护器。

2.根据权利要求1所述的电压限制型低压配电电涌保护器的制造方法,其特征在于,所述MOV陶瓷片的正表面上的多个块状区域和反表面上的多个块状区域是互相对应的。

3.根据权利要求1所述的电压限制型低压配电电涌保护器的制造方法,其特征在于,当采用丝网来涂布电极浆料时,所述丝网的形状和所述MOV陶瓷片的形状是相同,所述MOV陶瓷片的形状包括但不限于方形、圆形、三角形、椭圆形、菱形或不规则形状。

4.根据权利要求3所述的电压限制型低压配电电涌保护器的制造方法,其特征在于,所述的方法包括:

依据方形氧化锌变阻器芯片MOV陶瓷片的尺寸,制作网格状的方形丝网,该方形丝网的表面上包括多个S1区域,将所述方形丝网分别覆扣在所述MOV陶瓷片的正面和反面上,在所述MOV陶瓷片的正表面和反表面上划分出一个方形区域,所述方形区域中包括多个S1区域,所述方形区域的外围是绝缘边缘区域,所述S1区域是渗透电极浆料的区域,所述S1区域之间的连接区域是不渗透电极浆料的区域;

或者;

依据圆形氧化锌变阻器芯片MOV陶瓷片的尺寸,制作网格状的圆形丝网,该圆形丝网的表面上包括多个S2区域,将所述圆形丝网分别覆扣在所述MOV陶瓷片的正面和反面上,在所述MOV陶瓷片的正表面和反表面上划分出一个圆形区域,所述圆形区域中包括多个S2区域,所述圆形区域的外围是绝缘边缘区域,所述S2区域是渗透电极浆料的区域,所述S2区域之间的连接区域是不渗透电极浆料的区域。

5.根据权利要求3所述的电压限制型低压配电电涌保护器的制造方法,其特征在于,所述的方法包括:

依据方形氧化锌变阻器芯片MOV陶瓷片的尺寸,制作网格状的方形丝网,该方形丝网的表面上包括多个S1区域,在所述方形丝网的表面的中心点设置S3区域,所述S3区域的面积大于所述S1区域的面积,将所述方形丝网分别覆扣在所述MOV陶瓷片的正面和反面上,在所述MOV陶瓷片的正表面和反表面上划分出一个方形区域,所述方形区域中包括多个S1区域,所述方形区域的中心点设置S3区域,所述方形区域的外围是绝缘边缘区域,所述S1、S3区域是渗透电极浆料的区域,所述S1区域之间的连接区域、所述S1和S3之间的连接区域是不渗透电极浆料的区域;

或者;

依据圆形氧化锌变阻器芯片MOV陶瓷片的尺寸,制作网格状的圆形丝网,该圆形丝网的表面上包括多个S2区域,在所述圆形丝网的表面的中心点设置S4区域,所述S4区域的面积大于所述S2区域的面积,将所述圆形丝网分别覆扣在所述MOV陶瓷片的正面和反面上,在所述MOV陶瓷片的正表面和反表面上划分出一个圆形区域,所述圆形区域中包括多个S2区域,所述圆形区域的中心点设置S4区域,所述圆形区域的外围是绝缘边缘区域,所述S2、S4区域是渗透电极浆料的区域,所述S2区域之间的连接区域、所述S2和S4之间的连接区域是不渗透电极浆料的区域。

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