[发明专利]光电元件

说明书

本发明公开一光电元件，其包含一第一半导体层具有一第一晶格常数；一第二半导体层具有一第二晶格常数，其中第二晶格常数小于第一晶格常数；及一第一缓冲层位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中第一缓冲层于靠近第二半导体层的一侧的一晶格常数小于第二晶格常数。

技术领域

本发明涉及一光电元件，尤其是涉及一具有渐变晶格常数的缓冲层的光电元件。

背景技术

图1是现有的一光电元件1的结构剖视图，如图1所示，光电元件1包含一基板11及多个半导体层10、12、14、16、18位于基板11上，其中多个半导体层10、12、14、16、18是依序成长于基板11上，且由半导体层10往半导体层18的一厚度方向上，多个半导体层10、12、14、16、18的晶格常数逐渐变小。当具有较小晶格常数的半导体层，例如半导体层12，成长于具有较大晶格常数的半导体层上时，例如半导体层10，半导体层10与半导体层12之间会产生一伸张应力(tensile strain)，此伸张应力不易在半导体层10与半导体层12之间释放。接续半导体层10与半导体层12之后，当半导体层14、16、18成长于半导体层12上时，此伸张应力会持续累积于光电元件1中，因而造成缺陷或差排产生。图2是现有的光电元件1的SEM剖视图。当多个半导体层10、12、14、16、18依序成长于基板11上时，此伸张应力会造成大量的缺陷或差排产生，且此缺陷或差排，如图2中标示y之处，沿着半导体层的厚度方向，如图2中箭头标示Y的方向，持续累积。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一光电元件，包含一第一半导体层具有一第一晶格常数；一第二半导体层具有一第二晶格常数，其中第二晶格常数小于第一晶格常数；及一第一缓冲层位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中第一缓冲层于靠近第二半导体层的一侧的一晶格常数小于第二晶格常数。

附图说明

图1是现有的光电元件；

图2是现有的光电元件的SEM剖视图；

图3是本发明一实施例的一光电元件；

图4是本发明第一实施例的一光电元件于一厚度方向上的铟含量分布情形；

图5是本发明第二实施例的一光电元件于一厚度方向上的铟含量分布情形；

图6是本发明第三实施例的一光电元件于一厚度方向上的铟含量分布情形；

图7是本发明一实施例的一光电元件的SEM剖视图。

符号说明

光电元件1、2

基板11、20

半导体叠层21

第一半导体层10、211

第一缓冲层212

第二半导体层12、213

第二缓冲层214

第三半导体层14、215

第三缓冲层14、216

第四半导体层16、217

第五半导体层18

具体实施方式