[发明专利]一种液晶显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种高透光率液晶显示装置及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置的发光亮度是背光源亮度和像素透过率的乘积，在液晶显示装置的发光亮度一定的前提下，提高像素透过率可以降低背光源的亮度，从而实现节能降耗。提高像素开口率、液晶透过效率、偏光板透过率、彩色滤光片透过率可以提高像素透过率。其中，提高像素开口率是最常见，也是最有效的方法。

如图1和图2所示为现有常见液晶显示装置的平面示意图，其中图1为Cs on Gate像素结构的示意图，图2为Cs on COM像素结构的示意图，现有液晶显示装置包括阵列基板、彩膜基板、以及夹设在阵列基板和彩膜基板之间的液晶（图未示），阵列基板的每个阵列单元包括：数据线12、扫描线13、晶体管15、以及像素电极16。对于图2所示的Cs on COM结构，像素中还包括存储电容线14（简称Cs线）。在图1中，扫描线13兼作存储电容线，即用上一行阵列单元的扫描线13和下一行阵列单元的像素电极16重叠形成存储电容，其能够用来透光的开口区域的上下距离为Lg。在图2中，使用专用的Cs线14与像素电极16重叠形成存储电容，由于Cs线14的存在，明显减少了像素电极16的有效透光区域，像素电极16能够用来透光的开口区域的上下距离为Lc较小。

在阵列单元中，提高能够用来透光的开口区域的上下距离是提升像素开口率的一个重要课题，这个课题的一个重要对策是省略Cs线。如图3和图4所示，专利CN201210584816.4提出了一种无需专用Cs线，把存储电容Cs做在彩膜基板20上。如图4所示，存储电容Cs的一个电极为彩膜基板20上的透明导电层24；如图5所示，另一个电极为阵列基板10上的像素电极14，中间的绝缘介质为彩膜基板20上的配向膜52以及阵列基板10上的配向膜51。

图4和图5的结构存在如下几个问题：

1、配向膜的厚度一般在800埃左右，阵列基板和彩膜基板两层配向膜的总厚度只有1600埃左右。由于配向膜属于有机树脂，形成图4和图5所示的Cs on CF结构时，被支撑柱顶住的的配向膜容易破坏，影响显示效果。

2、用作存储电容绝缘层的配向膜的总厚度只有1600埃，膜厚的不均匀性容易影响存储电容的大小均匀性，最终影响显示效果。

发明内容

本发明揭示一种提高显示品质与合格率的液晶显示装置及其制造方法。

本发明提供一种液晶显示装置，包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层，在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球，其中，所述第一基板包括：像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜，该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧，所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口；所述第二基板包括：至少一支撑柱、包覆支撑柱的透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜，该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧，所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态，所述第二无机绝缘膜在第二基板的周边区域也设有开口，第二无机绝缘膜的开口与所述第一无机绝缘膜的开口呈对称状；其中，在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球，所述金球夹设在第一无机绝缘膜的开口与第二无机绝缘膜的开口之间。

本发明又提供一种液晶显示装置，包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层，所述第一基板包括：至少一支撑柱、包覆支撑柱的像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜，该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧，所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口；所述第二基板包括：透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜，该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧，所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态，所述第二无机绝缘膜在第二基板的周边区域也设有开口，第二无机绝缘膜的开口与所述第一无机绝缘膜的开口呈对称状；其中，在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球，所述金球夹设在第一无机绝缘膜的开口与第二无机绝缘膜的开口之间。