[发明专利]一种中空结构氧化铟纳米纤维的制备方法有效
申请号: | 201310153325.9 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN103334179A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 龙云泽;陈帅;单福凯;刘灵芝;刘帅;刘国侠;张红娣;孙彬 | 申请(专利权)人: | 青岛大学 |
主分类号: | D01F9/08 | 分类号: | D01F9/08;D01F6/12;D01D1/02;D01D5/00;D06M11/45;D06M101/22 |
代理公司: | 青岛高晓专利事务所 37104 | 代理人: | 张世功 |
地址: | 266061 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 中空 结构 氧化 纳米 纤维 制备 方法 | ||
1.一种中空结构氧化铟纳米纤维的制备方法,其特征在于具体步骤包括制备聚偏氟乙烯纳米纤维、包裹氧化铟和高温烧结去除聚偏氟乙烯三个步骤:
(1)制备聚偏氟乙烯纳米纤维:选用常规的适于本发明纺丝溶液使用的静电纺丝装置,选择环境温度为20℃,湿度为25%RH的制备场合,用电子天平称量2.0克聚偏氟乙烯,将其溶于质量比为1:1的N,N二甲基甲酰胺和丙酮组成的混合溶剂中,在60-80℃水浴中磁力搅拌2-5小时后得到均匀透明的聚偏氟乙烯溶液;再用静电纺丝装置按常规操作方法在空气中进行静电纺丝,设置电压为13千伏,纺丝距离10厘米,选用5毫升注射器进行静电纺丝15-30分钟,在纺丝过程中混合溶剂挥发后即制得聚偏氟乙烯纳米纤维;
(2)包裹氧化铟:将收集的聚偏氟乙烯纳米纤维利用常规的磁控溅射方法在聚偏氟乙烯纤维表面上包裹一层氧化铟,将磁控溅射的参数设置为:氧化铟靶材,溅射功率90瓦,靶材与基片间距为10-15厘米,溅射时间为1-2小时,氩气与氧气浓度比为10:0.1,温度为室温,压强为1个标准大气压;
(3)高温烧结去除聚偏氟乙烯:将步骤(2)制得的包裹有氧化铟的聚偏氟乙烯纤维置于马弗炉中进行烧结,调节烧结温度为650-750℃,在600℃条件下退火2-3小时后自然冷却至室温,聚偏氟乙烯完全分解即形成中空结构氧化铟纳米纤维。
2.根据权利要求1所述的中空结构氧化铟纳米纤维的制备方法,其特征在于所制备的中空结构氧化铟纳米纤维的壁厚为80-180纳米,内径为600-800纳米。
3.根据权利要求1所述的中空结构氧化铟纳米纤维的制备方法,其特征在于该方法应用于氧化锌、二氧化钛金属氧化物中空纤维的制备,其工艺过程相同。
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