[发明专利]半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

一基材，包含一掺杂区；

一绝缘层，形成于该基材，该绝缘层包含与该掺杂区对应的一接点孔；

一非掺杂硅层，形成于该掺杂区上；以及

一硅材料，从该非掺杂硅层填充该接点孔。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该非掺杂硅层是从该基材磊晶生长而成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该非掺杂硅层具有30纳米至50纳米的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硅材料包含掺磷的多晶硅。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硅材料具有80纳米至160纳米的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包含一电容，其中该电容接触该硅材料。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包含一数字线，其中该数字线接触该硅材料。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该掺杂区位于一周边电路区。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该绝缘层包含二氧化硅或氮化硅。

10.一种半导体装置的制备方法，包含下列步骤：

形成一绝缘层于一基材上，其中该基材包含一掺杂区；

形成一接点孔于该绝缘层，其中该接点孔对应该掺杂区；

进行选择性磊晶生长工艺，以于该基材的该掺杂区上形成一硅层；以及

以一硅材料从该硅层填充该接点孔。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其中填充该接点孔的步骤包含以该硅材料从该硅层填充该接点孔，并同时以掺杂物掺入沉积的硅材料层。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其中该掺杂物包含磷。

13.根据权利要求10所述的制备方法，其中该硅层具有30纳米至50纳米的厚度。

14.根据权利要求10所述的制备方法，其中进行选择性磊晶生长工艺的步骤是在温度介于摄氏800至900度、压力介于60至100毫米汞柱下进行。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其中在进行选择性磊晶生长工艺的步骤时以50至200每分钟标准毫升导入二氯硅烷气体及以50至200每分钟标准毫升导入氯化氢气。

16.根据权利要求10所述的制备方法，其中该硅材料沉积80纳米至160纳米的厚度。

17.一种半导体装置，包含：

多对的字元线；

多对的数字线，形成于所述多个对的字元线下方；

多个硅柱，各该硅柱包含一掺杂区，且各该硅柱耦接一对应对的字元线和一对应对的数字线；

一绝缘层，形成于所述多个硅柱上，该绝缘层包含多个接点孔，其中所述多个接点孔对应所述多个掺杂区；

一非掺杂硅层，从所述多个掺杂区形成；以及

一硅材料，从该非掺杂硅层填充该接点孔。

18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中该非掺杂硅层是从一基材磊晶生长而成。

19.根据权利要求17所述的半导体装置，其中该非掺杂硅层具有30纳米至50纳米的厚度。

20.根据权利要求17所述的半导体装置，其中该硅材料包含掺磷的多晶硅。