[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，其特征在于：所述的存储电极、所述的薄膜晶体管的半导体层和所述的像素电极为金属氧化物IGZO、IZO或ZnO。

2.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于对所述的存储电极、所述的薄膜晶体管的源极、漏极和所述的像素电极进行离子注入处理。

3.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：所述的薄膜晶体管的半导体层、源极、漏极、以及所述的像素电极由同层金属氧化物在同一制程中形成。

4.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：所述的扫描线和所述的数据线由同层金属在同一制程中形成。

5.一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤，

步骤1、在玻璃基板上连续沉积金属氧化物层和金属层并涂布光刻胶；

步骤2、对经过上述步骤1处理的所述基板使用第一道Mask（光罩）对光刻胶进行曝光；

步骤3、对经过上述步骤2处理的所述基板进行光刻胶显影形成图案和沟道工艺，形成扫描线端子、扫描线、数据线端子、不连续的数据线、栅极以及存储电极；其中，栅极与扫描线相连接；

步骤4、在经过所述步骤3处理的所述基板上，对光刻胶进行灰化处理，将存储电极上方的光刻胶去除；

步骤5、对经过所述步骤4处理的所述基板进行光刻工艺，去除储存电极上方的金属，露出存储电极以及连接电极，存储电极与连接电极相连接；各像素间的存储电极通过连接电极相连接；

步骤6、去除经过所述步骤5处理的所述基板上的光刻胶并对该基板进行离子注入，使得存储电极和连接电极具有透明导体性质；

步骤7、对经过所述步骤6处理的所述基板上沉积绝缘层；

步骤8、对经过所述步骤7处理的所述基板使用第二道Mask对上述形成图案并进行光刻工艺，形成扫描线端子接触孔、数据线端子接触孔、数据线接触孔；

步骤9、在经过所述步骤8处理的所述基板上连续沉积金属氧化物层、绝缘层、以及涂覆光刻胶；

步骤10、对经过所述步骤9处理的所述基板使用第三道Mask对光刻胶进行曝光；

步骤11、对经过所述步骤10处理的所述基板进行光刻胶显影并进行光刻工艺，形成数据连接线和像素电极，各像素间的数据线通过数据线连接线相连接；

步骤12、对经过所述步骤11处理的所述基板进行灰化处理，保留位于栅极上方的金属氧化物上的光刻胶区域，去除其他区域以外的光刻胶，并进行光刻工艺，去除所述保留的光刻胶区域下方以外的绝缘层；

步骤13、对经过所述步骤12处理的所述基板进行离子注入，使像素电极以及位于栅极上方并于绝缘层下方的金属氧化物层的两侧的金属氧化物层具有透明导体特性。

6.根据原理要求5所述的一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：在所述的步骤2和步骤10中使用的Mask分为完全透光区、部分透光区和完全不透光区。

7.一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，其特征在于：所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层为金属氧化物IGZO、IZO或ZnO。

8.根据权利要求7所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：对所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层进行离子注入处理。

9.根据权利要求7所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：所述的存储电极和所述的薄膜晶体管的半导体层在同一制程中完成。

10.一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤，

步骤1、在玻璃基板上沉积金属层，并由此金属层形成扫描线、扫描线端子、栅极、不连续的数据线以及数据线端子，其中，扫描线端子与扫描线相连接；栅极与扫描线相连接；数据线端子与数据线相连接；

步骤2、在经过所述步骤1处理的所述基板上沉积绝缘层；

步骤3、在经过所述步骤2处理的所述基板上形成金属氧化物层、存储电极以及连接电极；存储电极与连接电极相连接；各像素间的存储电极通过连接电极相连接；

步骤4、在经所述步骤3处理的所述基板上形成刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层位于栅极正上方的金属氧化层上；

步骤5、对经所述步骤4处理的所述基板进行离子注入工艺，使得露出的存储电极、连接电极以及在所述刻蚀阻挡层下方并于栅极上方的金属氧化物层两侧的金属氧化物层具有透明导体特性；

步骤6、在经所述步骤5处理的所述基板上沉积钝化层；

步骤7、对经所述步骤6处理的所述基板进行光刻工艺，形成扫描线端子接触孔、数据线端子接触孔、数据线接触孔、源极接触孔和漏极接触孔；

步骤8、在经所述步骤7处理的所述基板上沉积一层ITO，并形成像素电极、数据线连接线以及连接线，使得漏极通过接触孔与像素电极相连接；源极通过接触孔、连接线以及数据线接触孔与数据线相连接；各像素间的数据线通过数据线接触孔和数据线连接线相连接。