[发明专利]托盘及等离子体加工设备

权利要求书

1.一种托盘，用于承载被加工工件，并借助热交换气体对被加工工件的温度进行调节，其特征在于，在所述托盘的上表面形成有凹部，所述凹部的数量和位置与所述被加工工件的数量和位置一一对应，并且每个所述凹部和与之一一对应的所述被加工工件的下表面的中心区域之间形成闭合空间，并且 

在所述凹部的底面上分布有多个进气孔，所述热交换气体经由所述进气孔流入所述闭合空间内。 

2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，在所述托盘的上表面且位于每个所述凹部的周边形成有密封区域，每个所述密封区域和相应的所述被加工工件的下表面的边缘区域相贴合，以对所述闭合空间进行密封。 

3.根据权利要求2所述的托盘，其特征在于，位于每个所述密封区域的所述托盘的上表面的粗糙度的范围在0.1～1μm。 

4.根据权利要求2所述的托盘，其特征在于，所述密封区域在其径向上的宽度的范围在0.5～10mm。 

5.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述凹部的深度的范围在1～100μm。 

6.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，在每个所述凹部底面上分布的所有所述进气孔中，最靠近所述凹部的底面边缘的进气孔与所述凹部的底面边缘之间的间距的范围在0.5～5mm。 

7.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述凹部的底面的粗糙度大于0.6μm。 

8.根据权利要求3-7任意一项权利要求所述的托盘，其特征在于，位于每个所述密封区域的所述托盘的上表面的粗糙度为0.4μm。 

9.根据权利要求3-7任意一项权利要求所述的托盘，其特征在于，所述凹部的底面的粗糙度为1.6μm。 

10.根据权利要求3-7任意一项权利要求所述的托盘，其特征在于，所述凹部的深度为10μm。 

11.根据权利要求3-7任意一项权利要求所述的托盘，其特征在于，所述密封区域在其径向上的宽度为5mm。 

12.根据权利要求3-7任意一项权利要求所述的托盘，其特征在于，在每个所述凹部底面上分布的所有所述进气孔中，最靠近所述凹部的底面边缘的进气孔与所述凹部的底面边缘之间的间距为1.2mm。 

13.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述热交换气体包括氦气、氩气或氮气。 

14.一种等离子体加工设备，包括反应腔室、位于所述反应腔室内的夹持装置，以及置于所述夹持装置上的托盘，所述托盘用于承载被加工工件，并借助热交换气体对被加工工件的温度进行调节，其特征在于，所述托盘采用了权利要求1-13任意一项权利要求所述的托盘。 

15.根据权利要求14所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述夹持装置包括机械卡盘和直流电源，其中 

所述机械卡盘采用机械固定的方式将所述托盘固定在其上表面； 

所述直流电源用于向所述托盘供电，以使所述托盘采用静电引力的方式将所述被加工工件固定在其上表面；并且 

所述托盘采用导电材料制作，并在所述导电材料的表面包覆绝缘材料，所述导电材料作为托盘电极；所述托盘电极与所述直流电源电连接。 

16.根据权利要求14所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述夹持装置包括机械卡盘和直流电源，其中 

所述机械卡盘采用机械固定的方式将所述托盘固定在其上表面； 

所述直流电源用于向所述托盘供电，以使所述托盘采用静电引力的方式将所述被加工工件固定在其上表面；并且 

所述托盘采用绝缘材料制作，并在所述绝缘材料内部埋设托盘电极，所述托盘电极采用导电材料制作，且与所述直流电源电连接。