[发明专利]具有贯穿过孔的芯片的连接

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括由侧壁限定的贯穿过孔；

在所述贯穿过孔的所述侧壁之上的传导材料；

可变形绝缘材料，位于所述传导材料上并且填充所述贯穿过孔，所述可变形绝缘材料具有中心轴线和与所述中心轴线垂直的第一宽度；以及

连接元件，布置于所述可变形绝缘材料的相对端并且在所述可变形绝缘材料的所述中心轴线周围，所述连接元件具有平行于所述可变形绝缘材料的所述第一宽度的第二宽度，所述第二宽度小于所述可变形绝缘材料的所述第一宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述传导材料是铜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述可变形绝缘材料是聚硅氧烷聚合物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接元件是被配置为连接到凸块的焊盘或者金属区域。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接元件是传导材料柱。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接元件是被配置为连接到凸块的铜柱。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述传导材料中的至少一些传导材料延伸超出所述贯穿过孔。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述连接元件耦合到延伸超出所述贯穿过孔的所述传导材料。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述衬底是硅。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述传导材料以下位于所述贯穿过孔的所述侧壁上的绝缘层。

11.一种用于制作半导体器件的方法，包括：

在衬底中蚀刻通孔，每个通孔具有侧壁；

在所述通孔中沉积传导材料；

通过蚀刻每个通孔的所述传导材料的中心部分在所述传导材料中形成开口；

用可变形绝缘材料填充所述开口中的每个开口，所述可变形绝缘材料具有中心轴线和与所述中心轴线垂直的第一宽度；以及

形成位于所述通孔的每一端处并且面向所述可变形绝缘材料的连接元件，所述连接元件具有沿平行于所述第一宽度的方向延伸的第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底是硅。

13.根据权利要求11所述的方法，其中当在所述通孔中沉积传导材料之前，在所述通孔的所述侧壁上沉积绝缘层。

14.根据权利要求11所述的方法，其中在所述通孔中沉积所述传导材料包括在所述通孔中沉积所述传导材料，并且使部分延伸超出所述通孔，每个连接元件耦合到所述传导材料的延伸超出所述通孔的所述部分。

15.一种半导体组件，包括：

集成电路器件，在上表面上具有多个键合焊盘；

衬底，具有第一表面和第二表面并且具有由侧壁限定的贯穿过孔，所述贯穿过孔具有中心轴线；

在所述贯穿过孔的所述侧壁之上的传导材料；

可变形绝缘材料，在所述传导材料之上并且填充所述贯穿过孔，所述可变形绝缘材料具有与所述中心轴线垂直的第一宽度；以及

在所述衬底的所述第一表面和所述第二表面处位于所述贯穿过孔的每一端处并且面向所述可变形绝缘材料的相应连接元件，在所述第一表面处的所述连接元件电耦合到所述集成电路的相应键合焊盘，每一个所述相应连接元件具有平行于所述可变形绝缘材料的所述第一宽度并且小于所述第一宽度的第二宽度。

16.根据权利要求15所述的半导体组件，其中衬底是硅。

17.根据权利要求15所述的半导体组件，其中所述贯穿过孔的绝缘侧壁包括在所述传导材料以下沿着所述贯穿过孔的所述侧壁沉积的绝缘层。

18.根据权利要求15所述的半导体组件，其中所述可变形绝缘材料是聚合物。

19.根据权利要求18所述的半导体组件，其中所述聚合物是聚硅氧烷。