[发明专利]一种用于电子束轨迹控制的电磁偏转装置及其应用无效

专利信息
申请号: 201310150016.6 申请日: 2013-04-25
公开(公告)号: CN103295862A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 张永和;何俊;王世伟;刘志栋;赵继鹏;黄亚荣;伞子栋 申请(专利权)人: 兰州空间技术物理研究所
主分类号: H01J37/147 分类号: H01J37/147;G21K1/08
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 杨志兵;郭德忠
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 电子束 轨迹 控制 电磁 偏转 装置 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种用于电子束轨迹控制的电磁偏转装置,其特征在于:所述装置包括励磁电源(1)、磁场发生装置和霍尔磁场探测器;

励磁电源(1)为电压0V~60V连续可调,电流1A~10A连续可调的直流稳压稳流电源,励磁电源(1)放置在电子束加工装置的真空室外;

磁场发生装置包括磁轭(2)、铁芯(3)和线圈(4),磁轭(2)呈封闭型,铁芯(3)在磁轭(2)内部对称分布,并固定在磁轭(2)上;线圈(4)为空心线圈,固定在铁芯(3)上;磁场发生装置放置在所述真空室内,铁芯(3)之间的气隙空间放置被加工零件,被加工零件位于电子束加工装置的电子枪的正下方;磁场发生装置通过线圈(4)的抽头利用穿墙插头与励磁电源(1)连接;

霍尔磁场探测器包括探头(5)和处理显示单元(6),探头(5)安装在所述气隙空间中,处理显示单元(6)放置在所述真空室外,探头(5)和处理显示单元(6)通过穿墙插头连接。

2.一种如权利要求1所述的用于电子束轨迹控制的电磁偏转装置的应用,其特征在于:步骤如下:

B1=3.37×10-4U1r---(I),]]>

B1为理论磁场强度,U1为电子枪的加速电压,r为电子束的偏转半径;

I1N=103B1L/4π      (Ⅱ),

I1为第一理论励磁电流,N为线圈(4)匝数,L为气隙空间的长度;B1由公式(Ⅰ)计算得到,代入公式(Ⅱ)可以计算得到I1

U2=I2R      (Ⅲ),

U2为理论励磁电压,I2为第二理论励磁电流,R为线圈(4)电阻,由于磁阻和漏磁损失,I2为I1的1.5倍;

调节励磁电源(1)输出的励磁电流I3等于I2,励磁电压U3等于U2,用探头(5)对磁场进行测量,处理显示单元(6)显示测量得到的实际磁场强度B2,将B2与B1进行比较,如果数值相等,则不用调节;如果数值不相等,需调节I3或U3,使B2变化,直至处理显示单元(6)显示B2与B1相等。

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