[发明专利]简单的方法制备Co3O4纳米球和β-Co(OH)2微米花无效

专利信息
申请号: 201310149211.7 申请日: 2013-04-26
公开(公告)号: CN103224258A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 陈哲;陈峰;谭乃迪;张锐;陈玲玲 申请(专利权)人: 吉林化工学院
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 132022 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 简单 方法 制备 co sub 纳米 oh 微米
【说明书】:

技术领域

发明属于一种简单Co3O4和β-Co(OH)2制备的方法,属于微纳米材料技术领域。 

背景技术

四氧化三钴具有尖晶石晶体结构,是一种重要的磁性材料。它作为p-半导体材料,在异相催化锂离子充电电池的阳极材料、固态传感器、电致变色器件都有着重要的应用。另外Co3O4薄膜、涂层还可以应用到太阳能选择吸收器、保护层、缓冲层和电镀烙器件等,所以具有重要的应用价值。而β-Co(OH)2通常被添加到氢氧化镍电极中以提高电极的传导性能和充放电性能; 它可以改善润滑油的摩擦性能;氢氧化钴薄膜有教好的催化性质和可逆电化学性质;氢氧化钴和超稳定的Y沸石分子筛的复合物在电化学容量上有较大的应用潜力;另有报道,有机基团层间结合氢氧化钴可以形成有机磁性材料。因此,材料的制备方法极为重要。 

本发明提供了一种基于简单的湿化学方法,以PVP为模板剂,通过调节水合肼的浓度合成了Co3O4纳米球形结构和花形的β-Co(OH)2。该方法具有成本低廉、条件温和、绿色环保、操作简单等特点,易于对材料的尺寸和形貌进行调控,适合大规模生产。 

发明内容

本发明的目的是为了提供一种简单的方法制备Co3O4和β-Co(OH)2。 

本发明的目的是通过以下技术方案实现的。 

本发明的制备方法,采用水热合成法,以水为溶剂,具体步骤为: 

1)硝酸钴溶于水中,在搅拌的条件下加入氨水,形成棕色的透明溶液;

2)上述步骤1)中加入PVP之后搅拌30 min使之溶解,形成澄清的溶液;

3)然后把上述步骤2)的溶液直接加入到聚四氟乙烯衬底的不锈钢反应釜中,填充度为75 %,密封高压釜,将其置于烘箱中,在120 ℃下保持12小时。

4)此外,将上述步骤2)得到的溶液中加入水合肼搅拌15 min使之溶解,形成澄清的溶液,将其转入聚四氟乙烯衬底的不锈钢反应釜中, 120 ℃下保持24小时。 

5)反应完毕后,分别将上述步骤3)和4)制备的物质离心分离,用蒸馏水和无水乙醇反复交替洗涤数次,去除表面活性剂和其他产物,空气氛室温干燥。最后,我们分别得到黑色沉淀物和粉红色的沉淀物, 即Co3O4和β-Co(OH)2。 

上述的表面活性剂是分子量为K30级的非离子型高分子化合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP K30)。 

 有益效果 

本发明的方法制备的物质尺寸均匀、形貌单一;该方法得到产物的收率一般可达到70%以上;所用的原料低廉易得,本发明的合成方法简单、产率高、易实现产业化、而且尺寸和形貌容易控制。

附图说明

图1a为β-氢氧化钴产物的XRD谱图。 

图1b为四氧化三钴产物的XRD谱图。 

图2a为四氧化三钴样品的透射电子显微镜图。 

图2b为β-氢氧化钴样品的透射电子显微镜图。 

图3a和3b分别为四氧化三钴样品的低倍率和高倍率扫描电子显微镜图。 

图4a和4b分别为β-氢氧化钴样品的低倍率和高倍率扫描电子显微镜图。 

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步说明。 

实施例1 

将0.015 mol/L的硝酸钴溶于15 mL水中,在搅拌的条件下加入15 mL氨水,形成棕色的透明溶液;然后加入0.15 mol/L PVP之后搅拌30 min使之溶解,形成澄清的溶液;最后将溶液直接加入到聚四氟乙烯衬底的不锈钢密封高压反应釜中,将其置于烘箱中,在120 ℃下保持12小时后自然冷却至室温,离心分离产物,蒸馏水和无水反复交替洗涤3次,去除表面活性剂和其他无机产物,室温条件下干燥8h 既得Co3O4纳米球,其尺寸均匀、形貌单一、产物的直径约为200 nm,其扫描电镜图如图3a和3b 所示。

实施例2 

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