[发明专利]一种高荧光量子产率碳量子点的制备方法

权利要求书

1.一种具有聚集导致荧光增强性质的高荧光量子产率碳量子点的制备方法，所述方法步骤如下：

步骤1：将对位聚苯掺杂的聚四氟乙烯反应釜内衬用超纯水洗净待用；

步骤2:按质量比为1:10:10，取富勒烯（C₆₀）、氢氧化钠和十六烷基三甲基溴化铵（CTAB），按1:59的体积比量取1%双氧水和超纯水，且富勒烯（C₆₀）与双氧水的质量体积比为1:1,将以上反应物加入步骤（1）的反应釜内衬中；

步骤3：将反应釜内衬放入反应釜釜体中，加盖密封，然后将反应釜放入鼓风干燥箱中，于150±5°C反应一个小时，然后随炉自然冷却至室温，得到棕色溶液；

步骤4：以12000±500转每分钟离心，10分钟，将上清液转移到离心管中即得到产物高荧光量子产率碳量子点。

2.根据权利要求1所述的具有聚集导致荧光增强性质的高荧光量子产率碳量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤1中，采用的是20毫升对位聚苯掺杂的聚四氟乙烯反应釜内衬。

3.根据权利要求1所述的具有聚集导致荧光增强性质的高荧光量子产率碳量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，取0.01g富勒烯（C₆₀），0.1g氢氧化钠，0.1g十六烷基三甲基溴化铵（CTAB），另外取0.1mL1%双氧水和5.9mL超纯水。

4.根据权利要求1、2或3所述的具有聚集导致荧光增强性质的高荧光量子产率碳量子点的制备方法，其特征在于：所述碳量子点为直径约5nm左右的近球形，量子产率为80.76%，其最大激发峰在335nm（3.70eV）处,最大的发射峰在395nm（3.14eV）处，半峰宽为60nm左右，且发射峰波长几乎不随激发波长的改变而改变。