[发明专利]制造具有波长转换层的发光二极管晶粒的系统及方法无效

专利信息
申请号: 201310146566.0 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN103427004A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 颜睿康;陈德朔 申请(专利权)人: 旭明光电股份有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 制造 具有 波长 转换 发光二极管 晶粒 系统 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及发光二极管晶粒,特别是关于具有波长转换层的发光二极管晶粒,以及用于制造具有波长转换层的发光二极管晶粒的一系统与其方法。

背景技术

发光二极管(light emitting diode,LED)晶粒(dice)用于产生白光。为了产生白光,一蓝光发光二极管晶粒可使用来与一波长转换层进行组合,例如形成在晶粒(die)的表面上的一荧光层(phosphor layer)。由蓝光二极管晶粒所发射出的电磁辐射激发波长转换层的原子(atoms),其将在蓝色波长光谱范围(blue wavelength spectral region)的某些电磁辐射转换到黄色波长光谱范围(yellow wavelength spectral region)。蓝色对黄色的比率由波长转换层的构成(composition)以及几何(geometry)所操控,以使发光二极管的输出出现白光。

用以在一发光二极管晶粒中形成波长转换层的一方法,是将波长转换层制造成一分离元件(separate member),之后附着到晶粒。举例来说,波长转换层可为一片带子(a piece of tape)型态,其上具有一荧光混合物,而这一片带子位于一粘着层上,此粘着层沉积在发光二极管晶粒上。典型地,波长转换层最初是被制造在一基板上,并从此基板被移除,再使用固定在抽真空装置(vacuum supply)的毛细装置(capillary device)附着到晶粒。

请参考图1,用以处理波长转换层的一现有系统,包括多个波长转换层10,此多个波长转换层10包含在一基板12上,此基板12具有一粘着带(adhesive tape)14,此粘着带14将波长转换层10附着到基板12。对于将波长转换层10从基板12移除而言,是使用一毛细装置(capillary device)16并与一顶销(ejection pin)16[应为18]结合使用。然而,由于粘着带14的粘着性(adhesiveness),波长转换层10从基板12的移除需要一大的力量(large force)。如图2所示,其可造成波长转换层10的破裂(cracks)20或者是其他损坏,而此波长转换层可改变由一发光二极管晶粒所产生的混合白光的颜色。

因为在制造期间对于波长转换层的任何损坏都可改变晶粒的输出,因此难以制造出具有始终如一的色彩平衡(color balance)的一白光发光二极管晶粒。本发明针对用于制造发光二极管晶粒的一系统及其方法,其系将对波长转换层的损坏最小化。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的上述缺陷,提出一种用于制造发光二极管晶粒的系统及其方法,使得对波长转换层的损坏达到最小化。

为达上述目的,本发明提出一种用于制造发光二极管晶粒的系统,包括一发光二极管晶粒以及一波长转换层,该波长转换层用于附着到一能量感应粘着层(energy sensitive adhesive layer),该粘着层依据曝光于如一电磁辐射或热能的一物理能量来降低粘着性。该系统亦包括一固化设备(curing apparatus)以及一附着设备(attachment apparatus),该固化设备用于降低该粘着层的粘着性,以帮助该波长转换层从该基板上移除,该附着设备用于将该波长转换层从该基板移除并将该波长转换层附着到该发光二极管晶粒。

本发明还提出一种用于制造发光二极管晶粒的方法,包括下列步骤:提供具有一所欲设置(desired configuration)的一发光二极管晶粒;以及提供包含在一基板上的一波长转换层,该基板位于一能量感应粘着层上,该粘着层系用于依据曝光在一物理能量以降低粘着性。该方法亦包括下列步骤:将在该基板上的该粘着层曝光在该物理能量,以降低该粘着层的粘着性,并帮助该波长转换层从该基板移除;将该波长转换层从该基板上移除;以及将该波长转换层附着到该发光二极管晶粒。

与现有技术相比,本发明可将制造期间对于波长转换层的损坏减小到最低,从而保证制造出具有始终如一的色彩平衡的白光发光二极管晶粒。

附图说明

图1表示用于处理波长转换层的一现有系统的截面示意图。

图2表示在由现有波长转换层处理期间的一波长转换层的的截面示意图。

图3表示本发明具有一波长转换层的一发光二极管晶粒的截面示意图。

图4表示本发明具有一波长转换层的一第二发光二极管晶粒的截面示意图。

图5分别表示本发明用于制造具有若干波长转换层的发光二极管晶粒的一系统的示意图。

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