[发明专利]一种非极性阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种非极性阻变存储器，包括从下至上叠接的导电衬底兼下电极，阻变存储介质及在存储介质上的金属上电极三层结构，其特征在于，所述阻变存储器同时具备双极性和单极性的阻变行为，即非极性存储行为，阻变存储介质为ZnMn₂O₄及其掺杂物。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征是：所述的导电衬底材料为p⁺型硅片衬底，p⁺型硅片同时也作为存储器的下电极。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征是：所述的阻变存储介质材料为ZnMn₂O₄及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，其形态为薄膜，厚度为20nm到1200nm。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在是：上电极为金属，存储器为金属/绝缘体/半导体的MIS结构。

5.一种非极性阻变存储器的制备方法，其特征是：包括如下步骤：

（1）用RCA标准清洗工艺清洗硅片衬底，并进行烘干处理；

（2）采用化学溶液沉积工艺在下电极上制备ZnMn₂O₄及其掺杂物阻变介质薄膜；薄膜用快速热处理工艺，涂覆次数为1到14次，薄膜的退火温度高于620℃，退火时间1~4h；

（3）在ZnMn₂O₄及其掺杂物阻变介质薄膜上，采用蒸镀工艺制备金属电极，本底真空优于4.0×10^-4Pa；使用金属掩膜版，圆孔的直径为500μm到30μm。