[发明专利]一种LTPS产品中制造缓冲层的方法有效
| 申请号： | 201310145646.4 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104124133B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 李原欣;许民庆 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201506 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ltps 产品 制造 缓冲 方法 | ||
1.一种LTPS产品中制造缓冲层的方法，所述LTPS产品包括基板和缓冲层，所述基板内部包括碱金属离子，其特征在于，包括以下步骤：
对所述基板进行加热，对所述基板进行预热的同时，使所述基板内部的所述碱金属离子被驱动扩散至所述基板的表面；
对所述基板进行酸洗，以除去所述基板表面的所述碱金属离子；
在所述基板上形成缓冲层；
对所述缓冲层进行退火，以优化所述缓冲层的质量。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用烘箱加热或快速热退火或加热室加热的方法对所述基板进行加热。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用580℃-700℃的温度对所述基板进行加热。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用低浓度弱酸对所述基板进行酸洗，以除去扩散至基板表面的K、Na离子。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述低浓度弱酸的浓度≥4ppm。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，采用醋酸或磷酸或碳酸对所述基板进行酸洗。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板为透光的玻璃基板或石英基板。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述基板进行加热之前，还包括对所述基板进行初始清洗的步骤；以及
在完成对所述基板实施酸洗之后，形成缓冲层之前，还包括对所述基板再次进行预清洗的步骤，以去除因为酸洗而残留的酸洗液。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层只包含单层的SiOx而不包含SiNx。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
