[发明专利]半导体装置和用于制造半导体装置的方法有效

专利信息
申请号: 201310145602.1 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN103378065A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 小仓正德;小林秀央;光地哲伸;木谷充志 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L23/532 分类号: H01L23/532;H01L23/528;H01L27/146;H01L21/768
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 用于 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

已知这样的设备,其包括布置在其中的具有等同功能的多个半导体装置,这多个半导体装置实现单个功能。日本专利特开第2000-299764号公开了包括布置在其中的多个光电转换装置的图像传感器单元的配置。

发明内容

本公开提供一种半导体装置,其包括布线组和沿一个方向排列的多个单位单元(unit cell)。布线组包括第一布线和第二布线,第二布线具有比第一布线的杨氏模量高的杨氏模量,并且第二布线沿着半导体装置的所述一个方向上的端部被设置。

本公开提供一种用于制造半导体装置的方法,半导体装置包括布线组和沿一个方向排列的多个单位单元,布线组包括第一布线和第二布线,第二布线具有比第一布线的杨氏模量高的杨氏模量。所述方法包括在半导体衬底上形成多个单位单元和多个布线组,以及在至少一边上沿着第二布线切割半导体衬底。

从参考附图对示例性实施例的以下描述中,本公开的其他特征将会变得清楚。

附图说明

图1是示意性地示出了根据第一实施例的图像传感器单元的配置的图;

图2是示出了根据第一实施例的光电转换装置的配置的等效电路图;

图3A和图3B分别是示出了根据第一实施例的光电转换装置的平面图和截面图;以及

图4是示出了根据第二实施例的光电转换装置的平面图。

具体实施方式

一般而言,当相邻的光电转换装置之间的间距大于各个光电转换装置中包括的像素之间的间距时,在光电转换装置的边界处的分辨率降低。因此,在各个光电转换装置中,被设置为最靠近端部的像素与端部之间的距离优选地被减小。

然而,因为各种布线被设置在各个光电转换装置的端部处,所以当端部的宽度减小时,光电转换装置可能由于在对光电转换装置进行划片(dicing)时产生的热和应力而被损坏。

在下文中,描述这样的实施例,即使当半导体装置的端部的宽度减小时,该实施例也减少由于布线短路所致的损坏半导体装置的发生。

第一实施例

将参考附图描述本公开的第一实施例。在对这个实施例的以下描述中,光电转换装置被用作半导体装置的示例。

图1是示意性地示出了包括布置成一行的多个光电转换装置101的图像传感器单元IU的配置的图。图像传感器单元被用于图像读取设备(例如传真机、平板(flatbed)扫描仪和复印机)。

沿X方向(即,一个方向)布置光电转换装置101,以使得沿该一个方向布置包括在光电转换装置101中的像素102。每个光电转换装置101包括多个像素102、信号处理电路103、外围电路104以及包括布线105和106的布线组。信号处理电路103包括放大器、采样保持电路和扫描电路,具有处理从像素102供应的信号的功能,并且具有与像素102相对应的列电路。换句话说,假设像素102中的一个和列电路CC中的相应一个构成单位单元,则单位单元沿一个方向(X方向)被布置成一行。充当信号产生单元的外围电路104产生控制像素102和信号处理电路103的操作的控制信号,并且产生偏置电压。由外围电路104产生的控制信号和偏置电压通过布线105和106被供应给像素102和信号处理电路103。注意,虽然布线105和106中的每个在图1中用单个布线表示,但是布线105和106中的每个可以是包括多个布线的布线组。注意,在图1中,在像素102和信号处理电路103之间的布线被省略了。

随着相邻两个光电转换装置101的像素之间的距离A变大,因为与距离A相对应的区域不包括像素,所以分辨率降低。因此,被布置为最靠近各个光电转换装置101的端部的像素102与端部之间的距离B优选地被减小。在这个实施例中,假设在一个方向上单位单元之间的间距是d,则被设置为与相应的一个光电转换装置101的所述一个方向上的端部最靠近的一个单位单元的端部和前述光电转换装置101的端部之间的距离B是d/2或更小。

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