[发明专利]包含氮化物材料的近场换能器

权利要求书

1.一种用于磁记录的装置，包括：

近场换能器，所述近场换能器包括导电氮化物，所述导电氮化物包括TiN、ZrN、TaN、HfN或其组合物。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，整个所述近场换能器包括导电氮化物。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述近场换能器仅包括导电氮化物。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述近场换能器具有桩和盘结构，并且只有所述桩包括所述导电氮化物。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述近场换能器的盘结构包括金。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，整个所述近场换能器包括TiN、ZrN、TaN、HfN或其组合物。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括电磁辐射的能源，所述能源产生具有从300nm至2000nm波长的能量。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，只有所述近场换能器的诸部分包括导电氮化物。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述近场换能器包括具有导电氮化物材料的至少一个层。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述至少一个层在所述近场换能器的底部上。

11.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述近场换能器包括具有导电氮化物层和等离子激元非氮化物材料层的多层结构。

12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述导电氮化物遍及所述近场换能器地被散布。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述导电氮化物是等离子激元非氮化物材料中的掺杂物。

14.如权利要求12所述的装置，其特征在于，等离子激元非氮化物材料是所述导电氮化物材料中的掺杂物。

15.一种用于磁记录的装置，包括：

电磁辐射的能源；

波导；以及

近场换能器，所述近场换能器包括导电氮化物，所述导电氮化物包括TiN、ZrN、TaN、HfN或其组合物，其中所述能源、波导和近场换能器被配置成将光从所述能源传送至所述波导并最终至所述近场换能器。

16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述近场换能器包括TiN、ZrN、TaN、HfN或其组合物以及从Au、Ag、Cu或其合金中选取的非氮化物材料。

17.一种盘驱动器，包括：

至少一个致动器臂，所述致动器臂具有第一末端和第二末端；

至少一个头，其中每个臂在其第一末端具有头，并且其中每个头包括：

电磁辐射的能源；

近场换能器，所述近场换能器包括导电氮化物，所述导电氮化物包括TiN、ZrN、TaN、HfN或其组合物；

磁读取器；以及

磁写入器，其中所述能源和所述近场换能器被配置成将光从所述能源传送至所述近场换能器以辅助所述磁写入器进行写入。

18.如权利要求17所述的盘驱动器，其特征在于，所述近场换能器包括：TiN、ZrN、TaN、HfN或其组合物；以及从Au、Ag、Cu或其合金中选取的非氮化物材料。