[发明专利]具有连接通孔结构的3维集成电路系统及用以形成该集成电路系统的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路装置的方法，包括：

提供包含主动装置的基板；

形成进入该基板的硅穿孔；

形成至该主动装置的装置接触；

在该硅穿孔和该装置接触上方形成导电层；以及

形成连接通孔结构，以将该导电层电性连接至该硅穿孔，其中，形成该连接通孔结构包含形成与第二系列的通孔条交叉的第一系列的通孔条。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成与该第二系列的通孔条交叉的该第一系列的通孔条包含形成彼此平行的该第一系列的通孔条。

3.如权利要求2所述的方法，其中，形成与该第一系列的通孔条交叉的该第二系列的通孔条包含形成彼此平行的该第二系列的通孔条。

4.如权利要求3所述的方法，其中，形成与该第二系列的通孔条交叉的该第一系列的通孔条包含形成与各个该第一系列的通孔条交叉的各个该第二系列的通孔条。

5.如权利要求4所述的方法，其中，形成与该第二系列的通孔条交叉的该第一系列的通孔条包含形成通孔条网图案。

6.如权利要求3所述的方法，其中，形成与该第二系列的通孔条交叉的该第一系列的通孔条包含以规律地分开的间隔形成该第一系列的通孔条与该第二系列的通孔条。

7.如权利要求6所述的方法，其中，形成与该第二系列的通孔条交叉的该第一系列的通孔条包含形成与各个该第一系列的通孔条交叉的各个该第二系列的通孔条。

8.如权利要求7所述的方法，其中，与该第一系列的通孔条的其中一个条交叉的该第二系列的通孔条是形成交错于与该第一系列的通孔条中邻近于该第一系列的通孔条的该其中一个条交叉的该第二系列的通孔条。

9.如权利要求8所述的方法，其中，与该第一系列的通孔条的其中一个条交叉的该第二系列的通孔条是形成分开较短距离于与该第一系列的通孔条中邻近于该第一系列的通孔条的该其中一个条交叉的该第二系列的通孔条。

10.如权利要求9所述的方法，其中，形成与该第二系列的通孔条交叉的该第一系列的通孔条包含形成通孔条线图案。

11.如权利要求1所述的方法，其中，形成该导电层包含形成以基板栓加以奶酪化的导电层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，形成该导电层包含形成以基板栓加以奶酪化的导电层，该基板栓是提供在该个别的第一和第二系列的通孔条之间。

13.如权利要求1所述的方法，其中，形成与该第二系列的通孔条交叉的该第一系列的通孔条包含在最小间隙形成该第一和第二系列的通孔条。

14.如权利要求9所述的方法，其中，形成该导电层包含形成包含铜类型材料的导电层。

15.如权利要求1所述的方法，还包含在形成至该主动装置的该装置接触之前，在该硅穿孔上方形成屏蔽层，以及其中。

16.如权利要求1所述的方法，其中，形成该装置接触是在形成该硅穿孔之前实施。

17.一种形成集成电路装置的方法，包含：

形成连接通孔结构，以将该集成电路装置的导电层电性连接至硅穿孔，其中，形成该连接通孔结构包含形成与第二系列的通孔条垂直交叉的第一系列的通孔条。

18.如权利要求17所述的方法，其中，该第一系列的通孔条是彼此平行，并且其中，该第二系列的通孔条是彼此平行。

19.如权利要求18所述的方法，其中，各个该第二系列的通孔条是与各个该第一系列的通孔条交叉。

20.一种集成电路装置，包含：

硅穿孔，形成进入基板硅材料；

导电层，形成在该硅穿孔上方；以及

导电通孔结构，形成在该导电层与该硅穿孔之间，用以将该导电层电性连接至该硅穿孔，其中，该连接通孔结构包含与第二系列的通孔条交叉的第一系列的通孔条。