[发明专利]一种闪存存储设备中数据管理的方法及装置有效
| 申请号: | 201310144051.7 | 申请日: | 2013-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN103246615A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
| 发明(设计)人: | 邓恩华;尹慧 | 申请(专利权)人: | 深圳市江波龙电子有限公司 |
| 主分类号: | G06F12/08 | 分类号: | G06F12/08 |
| 代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
| 地址: | 518057 广东省深圳市南山区科发路8*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 闪存 存储 设备 数据管理 方法 装置 | ||
技术领域
本发明属于存储器的数据存储技术领域,尤其涉及一种闪存存储设备中数据管理的方法及装置。
背景技术
Flash存储设备,也叫闪存存储设备,是一种可编程存储器件,具有体积小、容量大、防震、能耗低及数据不易失等特点。
在闪存存储设备中,有些数据的读取次数比较频繁,比如目录信息、日志信息、学习数据等,可能短时间内需要被多次读取,我们将这些读取次数大于预设值的数据称为热数据。由于现有闪存存储设备的容量都比较大,每一次热数据的读取,都需要花费不少寻址时间,从而大大降低了热数据的读取效率。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种闪存存储设备中数据管理的方法,以解决现有热数据读取效率较低的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种闪存存储设备中数据管理的方法,所述闪存存储设备包括读缓冲存储区域和普通存储区域,所述读缓冲存储区域的存储容量小于所述普通存储区域的存储容量,所述方法包括:
判断所述闪存存储设备中的数据是否为热数据;
若是,将所述数据存储至所述读缓冲存储区域,否则将所述数据存储至所述普通存储区域。
本发明实施例的另一目的在于提供一种闪存存储设备中数据管理的装置,所述闪存存储设备包括读缓冲存储区域和普通存储区域,所述读缓冲存储区域的存储容量小于所述普通存储区域的存储容量,所述装置包括:
第一判断单元,用于判断所述闪存存储设备中的数据是否为热数据;
存储单元,用于在所述判断单元判断结果为是时,将所述数据存储至所述读缓冲存储区域,在所述判断单元判断结果为否时将所述数据存储至所述普通存储区域。
本发明实施例的再一目的在于提供一种闪存存储设备,所述闪存存储设备包括所述闪存存储设备中数据管理的装置。
本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是:本发明实施例通过设置存储区域较小的读缓冲存储区域,将判定为热数据的数据存储至所述读缓冲存储区域中,使得在读取所述热数据时,直接从所述读缓冲存储区域中读取,从而能够大大减少热数据读取时的寻址时间,提高热数据的读取效率,具有较强的实用性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的闪存存储设备中数据管理方法的实现流程图;
图2是本发明实施例二提供的闪存存储设备中数据管理装置的组成结构图;
图3是本发明实施例三提供的闪存存储设备的组成结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
为了说明本发明所述的技术方案,下面通过具体实施例来进行说明。
实施例一:
图1示出了本发明实施例一提供的闪存存储设备中数据管理方法的实现流程,该方法过程详述如下:
在步骤S101中,判断闪存存储设备中的数据是否为热数据,如果判断结果为“是”,则执行步骤S102,如果判断结果为“否”,则执行步骤S103。
在本实施例中,预先在闪存存储设备中划分一读缓冲存储区域和普通存储区域,所述读缓冲存储区域的存储容量小于所述普通存储区域的存储容量。其中,所述读缓冲存储区域和普通存储区域可以是同一存储器划分出的不同存储区域也可以是两个独立的存储器提供的不同存储区域,在此不用以限制本发明。
优选的是,所述读缓冲存储区域可以为闪存存储设备中多层单元闪存存储块的最低有效位页提供的存储区域和/或单层单元闪存存储块的闪存页提供的存储区域。
在本实施例中,由于闪存存储设备中多层单元闪存存储块的最低有效位页以及单层单元闪存存储块的闪存页的数据读取以及写入时间远小于非最低有效位页的数据读取以及写入时间,且最低有效位页以及单层单元闪存页为稳定可靠的闪存页,因此为了提高数据读写的效率,增强数据的稳定性,本实施例将闪存存储设备中多层单元闪存存储块的最低有效位页提供的存储区域和/或单层单元闪存存储块的闪存页提供的存储区域划分为读缓冲存储区域。
在步骤S102中,将所述数据存储至所述读缓冲存储区域。
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