[发明专利]一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法

权利要求书

1.一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法，包括以下步骤：

步骤1：将表面清洁的碳化硅衬底（1）置于真空腔体中的电感应加热石墨舟内，抽真空至1×10^-5Pa后通入0.7～0.9个大气压的高纯氢气，在1550～1600℃下对碳化硅衬底（1）表面刻蚀15～20分钟；

步骤2：待真空腔体冷却至室温后，打开真空腔体，采用一个开有若干气孔（5）的石墨罩（4）罩将碳化硅衬底（1）罩在电感应加热石墨舟内；关闭真空腔体，重新抽真空至1×10^-5Pa后通入0.7～0.9个大气压的氩气，在1500～1650℃下进行15～20分钟石墨化；

步骤3：在氩气保护下自然冷却到室温，即可在碳化硅衬底（1）表面获得外延石墨烯。

2.根据权利要求1所述的热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法，其特征在于，石墨罩（4）上开出的气孔（5）均匀分布在碳化硅衬底（1）上方，且气孔（5）的孔径不超过0.2毫米。

3.根据权利要求1所述的热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法，其特征在于，碳化硅衬底（1）表面清洁方法为：先后用丙酮、异丙醇、氢氟酸溶液清洗，并用去离子水冲洗后用氮气枪吹干。