[发明专利]半导体制程方法与半导体结构

说明书

技术领域

本发明是涉及一种半导体制程方法与半导体结构，尤指一种可以通过单一蚀刻制程来调整半导体通孔的直径的半导体制程方法与半导体结构。

背景技术

在半导体结构中，使用了一个触孔(contact)来接触金属与另一个结构。然而，在一些情形中，同一个触孔的直径会需要被改变而非保持不变。图1绘示习知触孔h0的示意图。如图1所示，触孔h0是被要求接触目标结构101但须避免与非目标结构103接触。为了制造这样的结构，形成触孔h0的控制良好的步骤(像是蚀刻步骤)会需要用来产生具有精确直径的触孔。然而，由于电子装置日益变小，需要的是具有更小直径的触孔，因此形成具有所需的直径的触孔h0的步骤会更难以控制。

另外，如图1中的虚线所示，当靠近非目标结构103时，会需要相关技术来减小触孔的直径，然而，这样的制程比一般制程需要更多步骤。例如，需要第一蚀刻步骤来形成具有较小直径的触孔h0的一部分ha，接着会执行第二蚀刻步骤来形成具有较大直径的触孔h0的另一部分hb。这些步骤增加了制造时间，并比一般制程难以控制。

发明内容

因此，本发明的一个目的在于公开一种可使用简单步骤形成具有不同直径的触孔(或其它种类的半导体通孔)的半导体制程方法。

本发明的另一个目的在于公开具有触孔(或其它种类的半导体通孔)的半导体结构。

本发明的一个实施例公开了一种可产生具有不同直径的半导体通孔的半导体制程方法，其包含：提供第一材料与不同于该第一材料的第二材料；以及使用蚀刻制程来对第一材料与第二材料进行蚀刻以形成通过第一材料与第二材料的半导体通孔；其中蚀刻制程针对第一材料与第二材料会具有不同的蚀刻率，这样一来半导体通孔会具有不同的直径。

本发明也公开了对应上述方法的半导体结构，其包含：第一材料；不同于该第一材料的第二材料；以及通过第一材料与第二材料并具有不同直径的半导体通孔，其中该半导体通孔是通过对第一材料与第二材料进行蚀刻的单一蚀刻制程所形成，其中该蚀刻制程针对第一材料所具有的蚀刻率小于针对第二材料所具有的蚀刻率。

在上述实施例的观点中，所要的半导体通孔直径可以不需要复杂的步骤即可获得。

附图说明

图1是习知触孔的示意图。

图2与图3是本发明半导体制程方法与半导体结构的实施例的示意图。

其中，附图标记说明如下：

101、205    目标结构

103、207    非目标结构

201         第一材料

203         第二材料

具体实施方式

在说明书及前面的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中具有通常知识者应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及前面的权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及前面的权利要求当中所提及的「包含」是一开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。

图2与图3分别是本发明半导体制程方法的一个实施例的示意图。如图2所示，提供了第一材料201(也称为指导材料(steering material))与第二材料203，在这个实施例中，第一材料201是是氮化物(nitride)，第二材料203是氧化物(oxide)，以及第一材料201是由第二材料203所包围。请注意，目标结构(target feature)205与非目标结构(non-target feature)207是位于图2所示的第一材料201与第二材料203之下，但这两装置只用在说明本发明的一个应用，而非代表本发明必须具有这两个装置。同样地，熟习技艺者可轻易得知如何提供图2所示的第一材料201与第二材料203的各式各样方法，故这些方法的细节在此省略以求简洁。