[发明专利]以填胶烧结方式制造选择性成长遮罩的方法

权利要求书

1.一种以填胶烧结方式制造选择性成长遮罩的方法，其特征在于包括下列步骤：

提供蓝宝石基板，该蓝宝石基板是做为后续薄膜成长的基底；

形成氮化镓基层，其是在该蓝宝石基板上成长该氮化镓基层；

涂布光刻胶层，其是在该氮化镓基层上涂布一层光刻胶材料；

进行压印及曝光显影，是对该光刻胶层进行压印及曝光显影，使得多个孔洞图案转印至该光刻胶层表面，并形成突状挡墙；

进行填胶，其是以绝缘性材料填入上述孔洞图案之外的空隙；以及

进行烧结，其是以加热去除上述孔洞图案上的光刻胶剂，并使该空隙的绝缘性材料形成选择性成长遮罩。

2.如权利要求1所述的制造选择性成长遮罩的方法，其特征在于其中该氮化镓基层是以有机金属化学气相沉积法MOCVD成长。

3.如权利要求1所述的制造选择性成长遮罩的方法，其特征在于其中该光刻胶层的厚度是20-2,000nm。

4.如权利要求1所述的制造选择性成长遮罩的方法，其特征在于其中该进行压印及曝光显影步骤的压印是进行纳米等级或微米等级的压印。

5.如权利要求1所述的制造选择性成长遮罩的方法，其特征在于其中该曝光显影的曝光光源为248nm的KrF光源、193nm的ArF光源或13.5nm的EUV光源。

6.如权利要求1所述的制造选择性成长遮罩的方法，其特征在于其中该绝缘性材料为二氧化硅或氮化硅。

7.如权利要求1所述的制造选择性成长遮罩的方法，其特征在于其中该烧结步骤是以高温氧气加热炉进行烧结。

8.如权利要求1所述的制造选择性成长遮罩的方法，其特征在于其制造出的选择性成长遮罩用于成长多个纳米柱。