[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310143405.6 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103545289A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 金廷烈;崔基寿 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一熔丝图案和第二熔丝图案，其位于第一层间绝缘膜上并彼此隔开预定距离；
第二层间绝缘膜，其在所述第一层间绝缘膜上设置于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间；以及
覆盖膜图案，其设置在所述第一熔丝图案、所述第二熔丝图案和所述第二层间绝缘膜上并包括狭缝，所述狭缝使所述第二层间绝缘膜的一部分露出。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第一层间绝缘膜包括第一氧化物材料，所述第二层间绝缘膜包括第二氧化物材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述熔丝图案包括铜。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述覆盖膜图案包括氮化物膜。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述覆盖膜图案形成为覆盖所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的整个顶面以及所述第二层间绝缘膜的顶面的一部分。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述覆盖膜图案的长度在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的长度的2.5倍和3.5倍之间。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的中间部分是熔断区。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
所述狭缝的长轴长度长于所述熔丝图案的熔断区的长轴长度，并短于所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的长轴长度。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第三层间绝缘膜，其设置在所述覆盖膜图案上，所述第三层间绝缘膜包括开口区，所述开口区使所述覆盖膜图案的顶面和所述第二层间绝缘膜的露出部分露出。
10.一种制造半导体器件的方法，包括：
在半导体基板上形成第一层间绝缘膜；
形成第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和第二熔丝图案被形成在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜的一部分彼此隔开；
在所述第一熔丝图案、所述第二熔丝图案和所述第二层间绝缘膜上形成覆盖膜；
形成覆盖膜图案；以及
通过蚀刻所述覆盖膜的设置在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的一部分，在所述覆盖膜图案中形成狭缝。
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