[发明专利]一种电场辅助制备一维纳米ZnO晶须的方法有效
| 申请号： | 201310143243.6 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103320867A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王浩;黄志新;程磊;梅森 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C30B30/02 | 分类号： | C30B30/02;C30B28/04;C30B29/62;C30B29/16 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电场 辅助 制备 纳米 zno 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一维纳米ZnO晶须的方法，其特征是一种通过电场辅助制备一维纳米ZnO晶须的方法，该方法包括以下的步骤：
（1）前驱体溶液的配制：
以硝酸锌为锌源，六亚甲基四胺为模板剂，按硝酸锌浓度0.001～0.1mol/L，六亚甲基四胺0.001～0.1mol/L，称取硝酸锌与六亚甲基四胺，溶于去离子水配置成均一稳定的前驱体溶液；
（2）电场导向生长ZnO晶须：
将步骤（1）得到的前驱体溶液放置于玻璃烧杯中，置于具有电场的磁力搅拌加热装置上，加温反应，反应温度60℃～95℃，反应时间3～12h，在溶液中生成不溶性固体沉淀物；采用液离心分离沉淀，并用蒸馏水反复洗涤沉淀物数次至中性，最后置于60℃的干燥箱中烘干；
（3）晶须热处理：
将步骤（2）烘干后的产物进行热处理，热处理制度为：以5℃/min的升温速率升温至550℃保温2h，最终得到ZnO晶须样品。
2.根据根据权利要求1所述的一维纳米ZnO晶须的的制备方法，其特征在于所述外电场的强度为5～100KV·m-1可调。
3.根据权利要求1所述的一维纳米ZnO晶须的的制备方法，其特征在于通过调整外电场强度所得晶须的长度与直径可控，所述长径比10～100。
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