[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310143122.1 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104124196B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成沟槽结构；
采用选择性离子化物理气相沉积的方法在所述半导体衬底上及所述沟槽结构中形成铜晶种层；
采用轰击工艺处理所述铜晶种层，以将所述沟槽结构顶部拐角处沉积的所述铜晶种层轰击剥离，从而缓解所述沟槽结构顶部突悬问题；
采用热回流法处理所述铜晶种层，以平坦化所述铜晶种层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，多次采用所述轰击工艺和所述热回流法处理所述铜晶种层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，执行所述轰击工艺和所述热回流法的次数至少为3次。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述轰击工艺的轰击功率为100瓦～2000瓦。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述轰击工艺的真空腔室内的压强小于0.1毫托。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述轰击工艺采用的气体为氩。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热回流法的温度为200℃～400℃。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述沟槽结构中沉积形成铜金属层的步骤。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，采用电化学电镀的方法沉积所述铜金属层。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述铜晶种层与所述沟槽结构之间形成扩散阻挡层的步骤。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，采用选择性离子化物理气相沉积的方法形成所述扩散阻挡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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